基于FEM的功率IGBT模块功率循环可靠性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 功率电子器件概述 | 第10-15页 |
| 1.2 功率 IGBT 模块的应用和发展方向 | 第15-22页 |
| 1.2.1 IGBT 工作原理 | 第15-16页 |
| 1.2.2 IGBT 模块封装 | 第16-22页 |
| 1.3 半导体器件可靠性 | 第22-24页 |
| 1.3.1 电子设备可靠性 | 第22-23页 |
| 1.3.2 功率电子器件失效因素 | 第23-24页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第24-26页 |
| 1.5 课题研究的目的和意义 | 第26-28页 |
| 第二章 功率 IGBT 模块的有限元分析 | 第28-43页 |
| 2.1 功率 IGBT 模块有限元模型建立 | 第28-31页 |
| 2.2 材料性能参数 | 第31-33页 |
| 2.3 多物理场耦合分析 | 第33-35页 |
| 2.4 温度循环测试与功率循环测试仿真 | 第35-41页 |
| 2.4.1 温度循环测试 | 第35-38页 |
| 2.4.2 功率循环测试 | 第38-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 载荷参数对功率循环的影响 | 第43-51页 |
| 3.1 芯片加载功率对功率循环的影响 | 第43-47页 |
| 3.2 循环周期对功率循环的影响 | 第47-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 工艺参数对功率循环的影响 | 第51-68页 |
| 4.1 焊料层厚度对功率循环的影响 | 第51-55页 |
| 4.2 散热基板材料对功率循环的影响 | 第55-57页 |
| 4.3 焊料层空洞对功率循环的影响 | 第57-66页 |
| 4.3.1 不同空洞率对功率循环的影响 | 第57-63页 |
| 4.3.2 不同空洞位置对功率循环的影响 | 第63-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 全文总结及展望 | 第68-71页 |
| 5.1 全文总结 | 第68-70页 |
| 5.2 研究展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第79-80页 |
| 附件 | 第80页 |
