| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-10页 |
| ·需求分析 | 第6页 |
| ·主流技术介绍 | 第6-7页 |
| ·国内外研究概况 | 第7-10页 |
| 第二章 器件原理以及采用的工艺介绍 | 第10-36页 |
| ·砷化镓器件工作相关原理 | 第10-12页 |
| ·栅长和器件性能的关系 | 第12-14页 |
| ·砷化镓器件制造中常用工艺简介 | 第14-36页 |
| ·光刻工艺基本原理简介 | 第14-28页 |
| ·光学光刻工艺步骤 | 第28-30页 |
| ·腐蚀工艺 | 第30-33页 |
| ·金属膜制备技术 | 第33页 |
| ·砷化镓器件工艺流程 | 第33-36页 |
| 第三章 "T"型栅制作中的光刻技术研究 | 第36-56页 |
| ·多层光刻胶制作T型栅研究 | 第36-46页 |
| ·光刻版的设计 | 第37-38页 |
| ·RELACS技术 | 第38-40页 |
| ·多层胶工艺制作过程 | 第40-46页 |
| ·应用情况介绍 | 第46页 |
| ·采用移相掩膜技术进行0.15微米T型栅研究 | 第46-56页 |
| ·掩模版设计 | 第47-50页 |
| ·工艺制作研究 | 第50-56页 |
| 第四章 结束语 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |