| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 文中使用的主要首字母缩写词 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-37页 |
| 1.1 MIM电容概述 | 第11-15页 |
| 1.1.1 MIM电容在集成电路中的应用情况 | 第11页 |
| 1.1.2 ITRS对MIM电容的技术要求 | 第11-15页 |
| 1.2 高K介质材料的选择及其制备方法 | 第15-22页 |
| 1.3 基于高介电常数的MIM电容的研究现状 | 第22-27页 |
| 1.4 论文的选题依据和各章内容概要 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-37页 |
| 第二章 与MIM电容介质薄膜相关的测试原理 | 第37-44页 |
| 2.1 原子力显微镜(AFM)分析薄膜表面形貌 | 第37-39页 |
| 2.2 透射电镜(TEM)分析内层薄膜特性 | 第39-40页 |
| 2.3 X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜组分 | 第40-42页 |
| 2.4 椭偏仪测量薄膜的光学特性 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第三章 反应溅射生长HfO_2和BZT-HfO_2介质MIM电容的特性研究 | 第44-60页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 实验方法 | 第44-47页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第47-57页 |
| 3.3.1 HfO_2和BZT-HfO_2薄膜组分分析 | 第47页 |
| 3.3.2 HfO_2和BZT-HfO_2MIM电容的物理特性分析 | 第47-48页 |
| 3.3.3 HfO_2和BZT-HfO_2MIM电容的电学特性分析 | 第48-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 第四章 等离子体增强原子层淀积SiO2薄膜及其性能研究 | 第60-92页 |
| 4.1 前言 | 第60-61页 |
| 4.2 实验方法 | 第61-65页 |
| 4.2.1 PEALD反应原理 | 第61-64页 |
| 4.2.2 实验步骤 | 第64-65页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第65-88页 |
| 4.3.1 ALD淀积SiO_2薄膜的折射率及淀积速率研究 | 第65-69页 |
| 4.3.2 ALD淀积SiO_2薄膜表面形貌的研究 | 第69-73页 |
| 4.3.3 ALD淀积SiO_2薄膜的组分分析 | 第73-82页 |
| 4.3.4 基于ALD SiO_2薄膜的电学特性研究 | 第82-88页 |
| 4.4 本章小结 | 第88页 |
| 参考文献 | 第88-92页 |
| 第五章 基于原子层淀积HfO_2、SiO_2叠层介质的MIM电容特性 | 第92-105页 |
| 5.1 引言 | 第92页 |
| 5.2 HfO_2/SiO_2/HfO_2叠层MIM电容的研究 | 第92-98页 |
| 5.2.1 实验方法 | 第92-94页 |
| 5.2.2 结果与讨论 | 第94-98页 |
| 5.3 基于SiO_2/HfO_2/SiO_2介质MIM电容的研究 | 第98-102页 |
| 5.3.1 实验方法 | 第98-99页 |
| 5.3.2 结果与讨论 | 第99-102页 |
| 5.4 本章小结 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-105页 |
| 第六章 全文总结 | 第105-107页 |
| 博士期间研究成果 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
