| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-35页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第13-16页 |
| 1.2 GaN材料的性质 | 第16-19页 |
| 1.2.1 GaN的晶体结构 | 第16-17页 |
| 1.2.2 GaN的物理性质 | 第17-19页 |
| 1.2.3 GaN的化学性质 | 第19页 |
| 1.3 InN材料的性质 | 第19-21页 |
| 1.3.1 InN的晶体结构 | 第19-20页 |
| 1.3.2 InN的物理性质 | 第20-21页 |
| 1.4 InGaN三元合金的性质 | 第21-25页 |
| 1.5 Ⅲ族氮化物的极化效应 | 第25-28页 |
| 1.5.1 自发极化 | 第26页 |
| 1.5.2 压电极化 | 第26-28页 |
| 1.6 N极性Ⅲ族氮化物的特性与研究进展 | 第28-32页 |
| 1.7 本论文的选题依据和研究内容 | 第32-35页 |
| 第2章 Ⅲ族氮化物薄膜与器件的生长方法与表征技术 | 第35-49页 |
| 2.1 Ⅲ族氮化物薄膜制备方法 | 第35-37页 |
| 2.2 材料生长使用的MOCVD系统介绍 | 第37-41页 |
| 2.3 外延薄膜常用的表征技术 | 第41-49页 |
| 2.3.1 X射线衍射(X-Ray Diffraction，XRD) | 第41-43页 |
| 2.3.2 光致发光谱(Phot oluminescence ，P L) | 第43-44页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜(Scanning El ectron Microscopy ，SEM) | 第44-45页 |
| 2.3.4 原子力显微镜(Atomic Force Micros copy，AFM) | 第45-46页 |
| 2.3.5 霍尔测试(Hall M eas urement) | 第46-47页 |
| 2.3.6 电致发光谱(Electroluminescence，EL) | 第47-49页 |
| 第3章 N极性GaN薄膜的MOCVD生长及性能研究 | 第49-69页 |
| 3.1 N极性GaN薄膜的MOCVD生长 | 第49页 |
| 3.2 衬底斜切角对N极性GaN薄膜性质的影响 | 第49-53页 |
| 3.3 成核层厚度对N极性GaN薄膜性质的影响 | 第53-57页 |
| 3.4 生长温度对N极性GaN薄膜性质的影响 | 第57-60页 |
| 3.5 V/ Ⅲ比对N极性GaN薄膜性质的影响 | 第60-65页 |
| 3.6 GaN薄膜的极性的判定 | 第65-66页 |
| 3.7 本章小结 | 第66-69页 |
| 第4章 N极性In GaN薄膜的MOCVD生长及性能研究 | 第69-97页 |
| 4.1 N极性In GaN薄膜的MOCVD生长 | 第69-70页 |
| 4.2 生长温度对N极性In GaN薄膜性质的影响 | 第70-75页 |
| 4.3 V/ Ⅲ比对N极性In GaN薄膜性质的影响 | 第75-79页 |
| 4.4 TM In流量对N极性In GaN薄膜性质的影响 | 第79-84页 |
| 4.5 生长压力对N极性In GaN薄膜性质的影响 | 第84-87页 |
| 4.6 N极性LE D的制备及性质研究 | 第87-96页 |
| 4.7 本章小结 | 第96-97页 |
| 第5章 N极性In N薄膜的MOCVD生长及性能研究 | 第97-123页 |
| 5.1 N极性In N薄膜的MOCVD生长 | 第97-98页 |
| 5.2 In极性InN与N极性In N的性质对比 | 第98-104页 |
| 5.3 生长温度对N极性In N薄膜性质的影响 | 第104-107页 |
| 5.4 NH3流量对N极性InN薄膜性质的影响 | 第107-109页 |
| 5.5 TM In流量对N极性In N薄膜性质的影响 | 第109-112页 |
| 5.6 N极性In N薄膜中的In极性畴与立方相In N | 第112-117页 |
| 5.7 N极性In N薄膜的脉冲生长研究 | 第117-121页 |
| 5.7.1 TMIn源中断时间对N极性In N薄膜性质的影响 | 第117-119页 |
| 5.7.2 TMIn源通入时间对N极性In N薄膜性质的影响 | 第119-121页 |
| 5.8 本章小结 | 第121-123页 |
| 结论 | 第123-125页 |
| 本论文的创新点 | 第125-127页 |
| 参考文献 | 第127-147页 |
| 作者简介及攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第147-149页 |
| 致谢 | 第149页 |
