| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 热电学发展概述 | 第10-17页 |
| 1.1.1 热电学研究发展的历程 | 第10-11页 |
| 1.1.2 热电效应简介 | 第11-13页 |
| 1.1.3 热电材料相关的输运特性参数 | 第13-17页 |
| 1.2 热电材料的发展状况 | 第17-23页 |
| 1.2.1 热电材料的发展 | 第17-21页 |
| 1.2.2 优化热电性能的方法 | 第21-23页 |
| 1.3 双金属硫化物 | 第23-24页 |
| 1.3.1 双金属硫族化合物的研究现状 | 第23-24页 |
| 1.3.2 CrSiTe_3层状硫族化合物 | 第24页 |
| 1.4 本课题研究内容及实验思路 | 第24-26页 |
| 第二章 实验方法 | 第26-34页 |
| 2.1 实验原料和仪器设备 | 第26-27页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第26页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第26-27页 |
| 2.2 材料制备 | 第27-30页 |
| 2.3 材料的物性表征和物性测量 | 第30-34页 |
| 2.3.1 材料物相结构分析-X射线衍射法 | 第30页 |
| 2.3.2 材料成分能谱分析EDS | 第30-31页 |
| 2.3.3 材料的物性测量 | 第31-34页 |
| 第三章 TXTe_3的硫族化合物的制备 | 第34-49页 |
| 3.1 CrSiTe_3的制备及物相分析 | 第34-38页 |
| 3.1.1 CrSiTe_3的制备过程 | 第34-35页 |
| 3.1.2 CrSiTe_3固相反应后的XRD衍射分析结果 | 第35-38页 |
| 3.2 CrGeTe_3的制备及物相分析 | 第38-41页 |
| 3.2.1 CrGeTe_3的制备过程 | 第38-39页 |
| 3.2.2 CrGeTe_3固相反应后的XRD衍射结果分析 | 第39页 |
| 3.2.3 CrGeTe_3固相反应后的能谱分析结果分析 | 第39-41页 |
| 3.3 AlGeTe_3的制备及物相分析 | 第41-44页 |
| 3.3.1 AlGeTe_3的制备过程 | 第41-42页 |
| 3.3.2 AlGeTe_3固相反应后的XRD衍射分析 | 第42页 |
| 3.3.3 AlGeTe_3固相反应后的能谱和扫描电镜分析 | 第42-44页 |
| 3.4 AlSiTe_3的制备及物相分析 | 第44-46页 |
| 3.4.1 AlSiTe_3的制备过程 | 第44-45页 |
| 3.4.2 AlSi Te_3的XRD衍射分析结果 | 第45-46页 |
| 3.5 AlSiTe_3的第二次制备及物相分析 | 第46-47页 |
| 3.5.1 AlSiTe_3的制备过程 | 第46页 |
| 3.5.2 AlSi Te_3的XRD衍射分析结果 | 第46-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 Si_2Te_3晶体的制备与性能测试 | 第49-60页 |
| 4.1 Si_2Te_3的制备及物相分析 | 第49-50页 |
| 4.2 Si_2Te_3的XRD衍射图谱分析 | 第50-51页 |
| 4.3 Si_2Te_3的能谱分析结果 | 第51-52页 |
| 4.4 Si_2Te_3的微机械剥离法分析结果 | 第52-53页 |
| 4.5 Si_2Te_3的热电性能研究 | 第53-58页 |
| 4.5.1 烧结前Si_2Te_3电阻率在低温下随着温度的变化 | 第53-54页 |
| 4.5.2 烧结前Si_2Te_3的热导率在低温下随温度的变化 | 第54-56页 |
| 4.5.3 烧结后Si_2Te_3在高温下的热电性能随温度的变化 | 第56-57页 |
| 4.5.4 SPS烧结后的Si_2Te_3的热电性能在低温下随温度的变化 | 第57-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 CrSiTe_3的磁性研究 | 第60-65页 |
| 5.1 CrSiTe_3的磁性研究 | 第60-64页 |
| 5.1.1 CrSiTe_3的磁化强度曲线 | 第60-61页 |
| 5.1.2 CrSiTe_3的低温磁化强度M-T曲线 | 第61-62页 |
| 5.1.3 CrSiTe_3的中高温磁化强率χ-T曲线 | 第62-63页 |
| 5.1.4 多晶CrSiTe_3的与单层的CrSiTe_3磁化强度曲线的对比 | 第63-64页 |
| 5.2 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结和展望 | 第65-67页 |
| 6.1 研究总结 | 第65-66页 |
| 6.2 展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 附录 | 第73页 |
