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抗辐射加固高速时钟和数据恢复电路的研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
1 绪论第8-13页
    1.1 概述第8-9页
    1.2 国内外研究现状第9-11页
    1.3 论文的主要内容和结构安排第11-13页
2 时钟和数据恢复电路第13-34页
    2.1 SERDES接口简介第13-18页
        2.1.1 SERDES接口架构第13-15页
        2.1.2 信号完整性第15-18页
    2.2 时钟和数据恢复电路基础第18-26页
        2.2.1 基本原理第18页
        2.2.2 主要结构第18-24页
        2.2.3 抖动/相位噪声和眼图第24-26页
    2.3 基于相位插值结构的时钟和数据恢复电路第26-33页
        2.3.1 整体结构设计第26-27页
        2.3.2 相位插值原理与实现第27-30页
        2.3.3 电路分析第30-33页
    2.4 本章小结第33-34页
3 辐射效应对时钟和数据恢复电路的影响第34-47页
    3.1 辐射效应第34-37页
        3.1.1 辐射因素第34页
        3.1.2 单粒子效应第34-37页
    3.2 单粒子效应对基于相位插值的时钟和数据恢复电路的影响第37-46页
        3.2.1 整体分析第37-38页
        3.2.2 单粒子效应对频率跟踪环路的影响第38-43页
        3.2.3 单粒子效应对相位跟踪环路的影响第43-46页
    3.3 本章小结第46-47页
4 基于相位插值结构的时钟和数据恢复电路的设计第47-59页
    4.1 结构实现第47-48页
    4.2 模块设计第48-58页
        4.2.1 采样器第48-50页
        4.2.2 鉴相器第50-53页
        4.2.3 数字环路滤波器第53-54页
        4.2.4 相位插值器第54-55页
        4.2.5 多相时钟生成电路第55-58页
    4.3 本章小结第58-59页
5 基于相位插值的时钟和数据恢复电路的验证第59-72页
    5.1 单粒子瞬态效应敏感性验证第59-61页
    5.2 电学性能验证第61-71页
        5.2.1 模块验证第61-69页
        5.2.2 整体验证第69-71页
    5.3 本章小结第71-72页
结论第72-74页
参考文献第74-77页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第77-78页
致谢第78-80页

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