| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 引言 | 第10-30页 |
| 1.1 等离子体概述 | 第10-11页 |
| 1.2 热等离子体制备粉体概述 | 第11-23页 |
| 1.2.1 射频热等离子体反应器概述 | 第11-13页 |
| 1.2.2 等离子体制备粉体概述 | 第13-19页 |
| 1.2.2.1 等离子体制备微米级球形粉体 | 第13-16页 |
| 1.2.2.2 等离子体制备纳米粉体 | 第16-19页 |
| 1.2.3 热等离子体制备粉体存在的问题 | 第19-23页 |
| 1.2.3.1 超细粉体的球化率问题 | 第19-21页 |
| 1.2.3.2 热等离子体气相沉积法制备产物质量问题 | 第21-23页 |
| 1.3 CFD流体力学计算 | 第23-28页 |
| 1.3.1 CFD流体力学计算概述 | 第23-24页 |
| 1.3.2 CFD计算流体力学软件概述 | 第24-26页 |
| 1.3.3 Fluent在射频热等离子体领域的应用 | 第26-28页 |
| 1.4 论文的研究目的和内容 | 第28-30页 |
| 2 热等离子体反应器模拟 | 第30-44页 |
| 2.1 前言 | 第30页 |
| 2.2 热等离子体反应器模拟 | 第30-36页 |
| 2.2.1 模型建立 | 第30-32页 |
| 2.2.2 基本假设 | 第32页 |
| 2.2.3 计算设置 | 第32-34页 |
| 2.2.3.1 计算模型 | 第32-33页 |
| 2.2.3.2 材料物性 | 第33页 |
| 2.2.3.3 边界设定 | 第33-34页 |
| 2.2.3.4 计算控制及松弛因子 | 第34页 |
| 2.2.4 模拟结果及分析 | 第34-36页 |
| 2.3 气流流率对反应器内流场影响 | 第36-43页 |
| 2.3.1 温度场受气流流率影响及分析 | 第37-39页 |
| 2.3.2 轴向速度场受气流流率影响及分析 | 第39-41页 |
| 2.3.3 径向速度场受气流流率影响及分析 | 第41-43页 |
| 2.4 小结 | 第43-44页 |
| 3 热等离子体球化钨粉过程模拟 | 第44-58页 |
| 3.1 前言 | 第44页 |
| 3.2 钨粉球化过程模拟 | 第44-50页 |
| 3.2.1 颗粒流模型及基本假设 | 第44页 |
| 3.2.2 边界条件参数 | 第44-45页 |
| 3.2.3 模拟结果及分析 | 第45-50页 |
| 3.2.4 钨粉球化优化方案 | 第50页 |
| 3.3 钨粉球化过程优化 | 第50-56页 |
| 3.3.1 优化条件参数 | 第50-51页 |
| 3.3.2 优化结果及分析 | 第51-56页 |
| 3.4 小结 | 第56-58页 |
| 4 热等离子体制备纳米硅过程模拟 | 第58-74页 |
| 4.1 前言 | 第58页 |
| 4.2 硅粉气化过程受粒径影响模拟 | 第58-67页 |
| 4.2.1 颗粒流模型及基本假设 | 第58页 |
| 4.2.2 颗粒在热等离子体传热过程 | 第58-60页 |
| 4.2.3 不同粒径硅粉气化过程计算 | 第60-61页 |
| 4.2.4 结果及分析 | 第61-67页 |
| 4.2.4.1 反应器内部流场及颗粒轨迹 | 第61-62页 |
| 4.2.4.2 颗粒运动及气化过程分析 | 第62-65页 |
| 4.2.4.3 硅粉气化实验对比 | 第65-67页 |
| 4.3 硅粉气化过程加料量影响因素模拟 | 第67-73页 |
| 4.3.1 颗粒流模型及基本假设 | 第67页 |
| 4.3.2 硅粉理论加料量计算方程 | 第67-69页 |
| 4.3.3 给定粒径条件下硅粉气化过程计算 | 第69页 |
| 4.3.4 结果及分析 | 第69-73页 |
| 4.4 小结 | 第73-74页 |
| 5 结论及展望 | 第74-78页 |
| 5.1 结论 | 第74-75页 |
| 5.2 创新点 | 第75页 |
| 5.3 展望 | 第75-78页 |
| 符号表 | 第78-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 附录A | 第88-90页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92页 |