| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-19页 |
| 1.1 多孔硅简介 | 第7-11页 |
| 1.1.1 多孔硅发展历史 | 第7页 |
| 1.1.2 多孔硅的性质及应用 | 第7-9页 |
| 1.1.3 多孔硅制备方法的简介 | 第9-11页 |
| 1.2 多孔硅光子器件的分类 | 第11-13页 |
| 1.3 梳状多孔硅简介 | 第13-14页 |
| 1.3.1 梳状多孔硅的制备方法 | 第13-14页 |
| 1.3.2 梳状多孔硅的优点 | 第14页 |
| 1.4 多孔硅基光学梳状滤波器的研究及应用现状 | 第14-17页 |
| 1.4.1 国内研究及应用现状 | 第14-15页 |
| 1.4.2 国外研究及应用现状 | 第15-17页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容及意义 | 第17-19页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第17-18页 |
| 1.5.2 研究意义 | 第18-19页 |
| 第二章 刻蚀条件对多孔硅结构的影响研究 | 第19-28页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 硅的电化学阳极氧化中微孔的形成机制 | 第19-20页 |
| 2.3 多孔硅结构的制备 | 第20-23页 |
| 2.3.1 实验材料及仪器介绍 | 第20-21页 |
| 2.3.2 实验步骤 | 第21-22页 |
| 2.3.3 多孔硅结构参数的表征 | 第22-23页 |
| 2.4 结果分析与讨论 | 第23-27页 |
| 2.4.1 电流密度对多孔硅孔隙度、刻蚀速率及多孔硅-硅界面粗糙度的影响 | 第23-25页 |
| 2.4.2 HF含量对多孔硅孔隙度、刻蚀速率及多孔硅-硅界面粗糙度的影响 | 第25-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 阳极氧化条件对梳状多孔硅反射光谱影响研究 | 第28-36页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 多孔硅梳状滤波器的原理 | 第28-29页 |
| 3.3 梳状多孔硅的制备 | 第29-31页 |
| 3.3.1 实验材料与器材 | 第29页 |
| 3.3.2 梳状多孔硅的制备实验 | 第29-31页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第31-35页 |
| 3.4.1 HF含量对梳状多孔硅反射光谱的影响分析 | 第31-32页 |
| 3.4.2 刻蚀周期对梳状多孔硅反射光谱的影响分析 | 第32-33页 |
| 3.4.3 刻蚀时间对梳状多孔硅反射光谱的影响分析 | 第33-34页 |
| 3.4.4 正弦刻蚀波电流密度幅值对梳状多孔硅反射光谱的影响分析 | 第34-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 梳状多孔硅折射率匹配层的制备及其反射特性研究 | 第36-42页 |
| 4.1 引言 | 第36-37页 |
| 4.2 有效介质近似计算折射率 | 第37-38页 |
| 4.3 梳状多孔硅折射率匹配层的制备实验 | 第38-39页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第39-41页 |
| 4.4.1 SEM分析 | 第39-40页 |
| 4.4.2 梳状多孔硅反射光谱分析 | 第40-41页 |
| 4.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 复合梳状多孔硅的制备技术研究 | 第42-47页 |
| 5.1 引言 | 第42页 |
| 5.2 梳状多孔硅的复合形式 | 第42-43页 |
| 5.3 复合梳状多孔硅的制备实验 | 第43-44页 |
| 5.4 结果分析与讨论 | 第44-46页 |
| 5.4.1 宽带宽梳状滤波器反射光谱分析 | 第44-45页 |
| 5.4.2 多通道梳状滤波器反射光谱分析 | 第45-46页 |
| 5.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第52页 |
