| 缩略语 | 第13-15页 |
| 摘要 | 第15-17页 |
| Abstract | 第17-18页 |
| 第一章 绪论 | 第19-45页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第19-29页 |
| 1.1.1 单粒子效应已成为空天应用失效的主要因素 | 第19-22页 |
| 1.1.2 单粒子效应所引发的地面软失效日趋严重 | 第22-24页 |
| 1.1.3 单粒子瞬态效应正成为国际研究热点和难点 | 第24-27页 |
| 1.1.4 单粒子多瞬态效应正成为单粒子效应的普遍形式 | 第27-29页 |
| 1.2 国内外研究现状与不足 | 第29-42页 |
| 1.2.1 单粒子多瞬态的产生机理 | 第29-33页 |
| 1.2.2 单粒子多瞬态的测试方法 | 第33-38页 |
| 1.2.3 单粒子多瞬态的抑制方法 | 第38-42页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第42-43页 |
| 1.4 本文组织结构 | 第43-45页 |
| 第二章 组合逻辑SEMT：脉冲窄后宽效应 | 第45-67页 |
| 2.1 引言 | 第45-46页 |
| 2.2 单粒子多瞬态引发的脉冲窄后宽效应 | 第46-48页 |
| 2.3 蒙特卡洛模拟验证 | 第48-59页 |
| 2.3.1 G4模拟结构设计 | 第48-52页 |
| 2.3.2 G4模拟设置 | 第52-54页 |
| 2.3.3 G4模拟结果与分析 | 第54-59页 |
| 2.4 器件模拟验证 | 第59-65页 |
| 2.4.1 TCAD模拟设置 | 第59-61页 |
| 2.4.2 中子核反应次级粒子模拟结果与分析 | 第61-63页 |
| 2.4.3 重离子模拟结果与分析 | 第63-65页 |
| 2.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第三章 时序逻辑SEMT：新型时序逻辑翻转机制 | 第67-89页 |
| 3.1 引言 | 第67-68页 |
| 3.2 非存储节点SEMT诱发的单粒子翻转机制 | 第68-69页 |
| 3.3 器件模拟验证 | 第69-80页 |
| 3.3.1 模拟结构设计 | 第69-71页 |
| 3.3.2 模拟设置 | 第71-72页 |
| 3.3.3 模拟结果与分析 | 第72-80页 |
| 3.4 重离子辐照实验与分析 | 第80-87页 |
| 3.4.1 实验芯片设计 | 第80-81页 |
| 3.4.2 实验设置 | 第81-82页 |
| 3.4.3 实验结果与分析 | 第82-87页 |
| 3.5 本章小结 | 第87-89页 |
| 第四章 单粒子多瞬态的测试 | 第89-105页 |
| 4.1 引言 | 第89页 |
| 4.2 UniVIC单粒子多瞬态测试方法 | 第89-91页 |
| 4.3 器件模拟验证 | 第91-93页 |
| 4.3.1 模拟结构设计 | 第91页 |
| 4.3.2 模拟设置 | 第91-92页 |
| 4.3.3 模拟结果与分析 | 第92-93页 |
| 4.4 重离子辐照实验与分析 | 第93-103页 |
| 4.4.1 实验芯片设计 | 第93-95页 |
| 4.4.2 实验设置 | 第95-96页 |
| 4.4.3 实验结果与分析 | 第96-103页 |
| 4.5 本章小结 | 第103-105页 |
| 第五章 单粒子多瞬态的抑制 | 第105-123页 |
| 5.1 引言 | 第105-106页 |
| 5.2 单元级加固设计思想 | 第106页 |
| 5.3 单元内SET/SEMT抑制技术 | 第106-113页 |
| 5.3.1 模拟结构设计 | 第107-108页 |
| 5.3.2 模拟设置 | 第108-109页 |
| 5.3.3 模拟结果与分析 | 第109-113页 |
| 5.4 单元间SET/SEMT抑制技术 | 第113-121页 |
| 5.4.1 模拟结构设计 | 第113-114页 |
| 5.4.2 模拟设置 | 第114页 |
| 5.4.3 模拟结果与分析 | 第114-121页 |
| 5.5 本章小结 | 第121-123页 |
| 第六章 总结与展望 | 第123-127页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第123-124页 |
| 6.2 本文工作展望 | 第124-127页 |
| 致谢 | 第127-129页 |
| 参考文献 | 第129-147页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第147-148页 |
