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考虑漏电容的平板式微执行器Pull-in机理分析

摘要第1-5页
Abstract第5-7页
第一章 绪论第7-12页
   ·MEMS的发展现状第7-9页
     ·MEMS简述第7-8页
     ·MEMS的工艺技术第8-9页
   ·微执行器的现状第9页
   ·Pull-in现象介绍第9-10页
   ·本文的主要工作第10-12页
第二章 忽略边缘电场效应的静态Pull-in 现象第12-18页
   ·理论模型第12-14页
   ·能量法求解第14-17页
   ·本章小结第17-18页
第三章 平行板微执行器的边缘电场效应第18-28页
   ·引言第18-19页
   ·Schwarz-Christoffel变换第19-25页
   ·理论模型第25-27页
   ·本章小结第27-28页
第四章 考虑边缘电场效应的静态Pull-in 现象第28-66页
   ·漏电容模型一的静态Pull-in现象第28-37页
     ·力法求解第28-29页
     ·能量法求解第29-32页
     ·参数变化对Pull-in结果的影响第32-37页
   ·漏电容模型二的静态Pull-in现象第37-45页
     ·力法求解第37-38页
     ·能量法求解第38-40页
     ·参数变化对Pull-in结果的影响第40-45页
   ·漏电容模型三的静态Pull-in现象第45-53页
     ·力法求解第45-47页
     ·参数变化对Pull-in结果的影响第47-53页
   ·结果分析第53-57页
   ·ANSYS仿真结果第57-64页
   ·本章小结第64-66页
第五章 总结和展望第66-68页
   ·工作总结第66-67页
   ·工作展望第67-68页
致谢第68-69页
参考文献第69-72页
作者在硕士研究生期间发表论文情况第72页

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