| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-24页 |
| 1.1 微机电系统(MEMS)简介 | 第15-17页 |
| 1.2 MEMS封装技术 | 第17-19页 |
| 1.3 硅通孔技术 | 第19-23页 |
| 1.3.1 硅通孔技术简介 | 第19-21页 |
| 1.3.2 硅通孔技术国内外发展状况 | 第21-23页 |
| 1.4 课题研究内容与论文结构 | 第23-24页 |
| 第二章 MEMS基本加工工艺 | 第24-39页 |
| 2.1 光刻 | 第24-26页 |
| 2.2 刻蚀 | 第26-29页 |
| 2.2.1 干法刻蚀 | 第26-27页 |
| 2.2.2 湿法刻蚀 | 第27-29页 |
| 2.3 化学气相沉积 | 第29-30页 |
| 2.4 减薄、CMP | 第30-32页 |
| 2.4.1 减薄 | 第30页 |
| 2.4.2 CMP | 第30-32页 |
| 2.5 其他MEMS工艺介绍 | 第32-36页 |
| 2.5.1 氧化 | 第32-34页 |
| 2.5.2 掺杂 | 第34-36页 |
| 2.6 硅通孔制作与填充工艺流程设计 | 第36-38页 |
| 2.7 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 高深宽比的通孔刻蚀 | 第39-52页 |
| 3.1 引言 | 第39页 |
| 3.2 电感耦合等离子体刻蚀(ICP)技术 | 第39-46页 |
| 3.2.1 等离子体的产生机制 | 第39-41页 |
| 3.2.2 反应离子刻蚀 | 第41-43页 |
| 3.2.3 ICP刻蚀技术 | 第43-46页 |
| 3.3 实验与讨论 | 第46-51页 |
| 3.3.1 5μm通孔的刻蚀工艺 | 第46-48页 |
| 3.3.2 10μm通孔的刻蚀工艺 | 第48-49页 |
| 3.3.3 高深宽比通孔的刻蚀工艺优化 | 第49-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 通孔多晶硅的沉积技术 | 第52-68页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 化学气相沉积 | 第52-62页 |
| 4.2.1 化学气相沉积原理 | 第54-56页 |
| 4.2.2 常压沉积(APCVD) | 第56页 |
| 4.2.3 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第56-58页 |
| 4.2.4 低压化学气相沉积(LPCVD)技术 | 第58-62页 |
| 4.3 实验与讨论 | 第62-66页 |
| 4.3.1 实验准备 | 第62-63页 |
| 4.3.2 多晶硅沉积速率与沉积温度的关系 | 第63-64页 |
| 4.3.3 多晶硅沉积速率与硅烷浓度关系 | 第64页 |
| 4.3.4 多晶硅沉积速率与反应压力的关系 | 第64-65页 |
| 4.3.5 通孔的多晶硅沉积 | 第65-66页 |
| 4.4 通孔电学特性检测 | 第66-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 总结 | 第68-69页 |
| 5.2 展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第74页 |