| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10页 |
| 1.2 集成光波导延迟线的延迟原理 | 第10-12页 |
| 1.3 集成光波导延迟技术的介绍 | 第12页 |
| 1.4 集成光波导国内外的发展现状 | 第12-15页 |
| 1.5 本文的结构安排 | 第15-17页 |
| 第二章 集成光波导理论 | 第17-29页 |
| 2.1 平面光波导的基本理论 | 第17-20页 |
| 2.1.1 平板光波导的几何光学分析 | 第17-19页 |
| 2.1.2 平面光波导的电磁场分析 | 第19-20页 |
| 2.2 矩形光波导的基本理论 | 第20-24页 |
| 2.2.1 矩形波导的马卡梯里法分析 | 第21-24页 |
| 2.2.2 矩形光波导的有效折射率法分析 | 第24页 |
| 2.3 脊形波导分析 | 第24-25页 |
| 2.4 光波导特征参数表征 | 第25-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 集成光波导的设计与仿真 | 第29-50页 |
| 3.1 集成光波导的材料分类与介绍 | 第29-30页 |
| 3.1.1 SiO2材料 | 第29页 |
| 3.1.2 Si3N4材料 | 第29-30页 |
| 3.1.3 硅（Si）材料 | 第30页 |
| 3.1.4 SOI光波导（Silicon-on-Insulator）材料 | 第30页 |
| 3.2 光波导的仿真模型与分析 | 第30-45页 |
| 3.2.1 折射率差为 0.36%的掩埋型SiO2波导仿真分析 | 第31-34页 |
| 3.2.2 折射率差为 0.75%的掩埋型SiO2波导仿真分析 | 第34-35页 |
| 3.2.3 折射率差为 1%的掩埋型SiO2波导仿真分析 | 第35-38页 |
| 3.2.4 SOI脊形波导的仿真分析 | 第38-42页 |
| 3.2.5 Si3N4脊形波导的仿真分析 | 第42-45页 |
| 3.3 平行同向光波导的耦合仿真分析 | 第45-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 集成光波导延迟线的设计 | 第50-64页 |
| 4.1 步长 12.5 ps集成光波导延迟线的布局方案 | 第50-55页 |
| 4.1.1 步长 12.5 ps集成光波导延迟线的布局计算 | 第50-51页 |
| 4.1.2 步长 12.5 ps集成光波导延迟线的版图绘制 | 第51-55页 |
| 4.2 集成光波导延迟线加工工艺介绍 | 第55-59页 |
| 4.2.1 集成光波导延迟线光刻工艺 | 第55-56页 |
| 4.2.2 集成光波导延迟线的耦合加工 | 第56-58页 |
| 4.2.3 集成光波导延迟线的封装加工 | 第58-59页 |
| 4.3 平面光波导延迟线的测试与结果分析 | 第59-63页 |
| 4.3.1 平面光波导延迟线的测试参数 | 第59-60页 |
| 4.3.2 平面光波导延迟线测试结果与分析 | 第60-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 集成光波导延迟线的应用 | 第64-70页 |
| 5.1 集成光波导延迟线在光控相控阵中的应用 | 第64-66页 |
| 5.2 集成光波导延迟线在模数转换系统中的应用 | 第66-69页 |
| 5.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章总结与展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
