摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
目录 | 第8-10页 |
第一章 绪论 | 第10-20页 |
·研究背景及意义 | 第10-11页 |
·MEMS 电容器国内外研究现状 | 第11-17页 |
·MEMS 电容器研究进展 | 第11-14页 |
·MEMS 电容器的种类 | 第14-17页 |
·MEMS 微型电容器的发展前景 | 第17页 |
·论文的选题依据及主要研究内容 | 第17-20页 |
第二章 MEMS 微型电容器工作原理及制造关键技术 | 第20-30页 |
·MEMS 静电式电容器工作原理 | 第20-21页 |
·高深宽比微纳结构 | 第21-23页 |
·高深宽比微纳结构研究现状及应用 | 第21-22页 |
·高深宽比微纳结构应用及工艺局限性 | 第22-23页 |
·关键制备技术 | 第23-28页 |
·氧化技术 | 第23-24页 |
·光刻技术 | 第24-25页 |
·TSV 技术 | 第25-26页 |
·ALD 技术 | 第26-27页 |
·溅射技术 | 第27-28页 |
·硅片的减薄/抛光技术 | 第28页 |
·本章小结 | 第28-30页 |
第三章 MEMS 微型电容器工艺优化设计与实现 | 第30-48页 |
·MEMS 微型电容器的整体优化设计方案 | 第30-31页 |
·MEMS 微型电容器的工艺优化 | 第31-38页 |
·掩膜版设计优化 | 第31-33页 |
·衬底材料和功能薄膜材料的选择 | 第33-36页 |
·加工工艺优化 | 第36-38页 |
·MEMS 微型电容器的加工流程 | 第38-45页 |
·MEMS 微型电容器的加工总流程 | 第38页 |
·MEMS 微型电容器制造 | 第38-45页 |
·本章小结 | 第45-48页 |
第四章 MEMS 微型电容器制造技术研究 | 第48-60页 |
·TSV 技术对高深宽比深槽结构影响 | 第48-51页 |
·TSV 技术刻蚀原理及影响因素 | 第48-50页 |
·TSV 单步刻蚀工艺与硬掩膜厚度之间的关系研究 | 第50-51页 |
·ALD 技术对电容器的薄膜性能影响 | 第51-53页 |
·衬底类型对高深宽比结构垂直度影响 | 第53-54页 |
·深槽金属填充效果对 MEMS 微型电容器性能影响 | 第54-55页 |
·电极材料对 MIM 微型电容器性能影响 | 第55-57页 |
·本章小结 | 第57-60页 |
第五章 MEMS 微型电容器电学性能测试与分析 | 第60-70页 |
·MEMS 微型电容器测试表征方法与测试结果分析 | 第60-67页 |
·MEMS 微型电容器测试表征方法 | 第60-61页 |
·HfO_2电介质击穿特性研究 | 第61页 |
·MEMS 微型电容器的阻抗特性测试 | 第61-64页 |
·MEMS 微型电容器的 C-V 特性测试 | 第64-65页 |
·MEMS 微型电容器的漏电流特性测试 | 第65-66页 |
·MEMS 微型电容器的频谱特性测试 | 第66-67页 |
·MEMS 微型电容器的温度适应性测试 | 第67页 |
·本章小结 | 第67-70页 |
第六章 总结与展望 | 第70-74页 |
·论文总结 | 第70-71页 |
·论文主要创新点及成果 | 第71-72页 |
·展望 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-80页 |
攻读硕士学位期间所取得的研究成果 | 第80-82页 |
致谢 | 第82-83页 |