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高深宽比硅微结构MEMS电容器制造工艺优化及其性能研究

摘要第1-6页
Abstract第6-8页
目录第8-10页
第一章 绪论第10-20页
   ·研究背景及意义第10-11页
   ·MEMS 电容器国内外研究现状第11-17页
     ·MEMS 电容器研究进展第11-14页
     ·MEMS 电容器的种类第14-17页
   ·MEMS 微型电容器的发展前景第17页
   ·论文的选题依据及主要研究内容第17-20页
第二章 MEMS 微型电容器工作原理及制造关键技术第20-30页
   ·MEMS 静电式电容器工作原理第20-21页
   ·高深宽比微纳结构第21-23页
     ·高深宽比微纳结构研究现状及应用第21-22页
     ·高深宽比微纳结构应用及工艺局限性第22-23页
   ·关键制备技术第23-28页
     ·氧化技术第23-24页
     ·光刻技术第24-25页
     ·TSV 技术第25-26页
     ·ALD 技术第26-27页
     ·溅射技术第27-28页
     ·硅片的减薄/抛光技术第28页
   ·本章小结第28-30页
第三章 MEMS 微型电容器工艺优化设计与实现第30-48页
   ·MEMS 微型电容器的整体优化设计方案第30-31页
   ·MEMS 微型电容器的工艺优化第31-38页
     ·掩膜版设计优化第31-33页
     ·衬底材料和功能薄膜材料的选择第33-36页
     ·加工工艺优化第36-38页
   ·MEMS 微型电容器的加工流程第38-45页
     ·MEMS 微型电容器的加工总流程第38页
     ·MEMS 微型电容器制造第38-45页
   ·本章小结第45-48页
第四章 MEMS 微型电容器制造技术研究第48-60页
   ·TSV 技术对高深宽比深槽结构影响第48-51页
     ·TSV 技术刻蚀原理及影响因素第48-50页
     ·TSV 单步刻蚀工艺与硬掩膜厚度之间的关系研究第50-51页
   ·ALD 技术对电容器的薄膜性能影响第51-53页
   ·衬底类型对高深宽比结构垂直度影响第53-54页
   ·深槽金属填充效果对 MEMS 微型电容器性能影响第54-55页
   ·电极材料对 MIM 微型电容器性能影响第55-57页
   ·本章小结第57-60页
第五章 MEMS 微型电容器电学性能测试与分析第60-70页
   ·MEMS 微型电容器测试表征方法与测试结果分析第60-67页
     ·MEMS 微型电容器测试表征方法第60-61页
     ·HfO_2电介质击穿特性研究第61页
     ·MEMS 微型电容器的阻抗特性测试第61-64页
     ·MEMS 微型电容器的 C-V 特性测试第64-65页
     ·MEMS 微型电容器的漏电流特性测试第65-66页
     ·MEMS 微型电容器的频谱特性测试第66-67页
   ·MEMS 微型电容器的温度适应性测试第67页
   ·本章小结第67-70页
第六章 总结与展望第70-74页
   ·论文总结第70-71页
   ·论文主要创新点及成果第71-72页
   ·展望第72-74页
参考文献第74-80页
攻读硕士学位期间所取得的研究成果第80-82页
致谢第82-83页

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