摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
目录 | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第10-16页 |
·研究背景和意义 | 第10-12页 |
·CMOS 温度传感器的性能指标 | 第12页 |
·本文的主要工作 | 第12-16页 |
·设计中的主要难点和挑战 | 第13页 |
·本论文的主要组织结构 | 第13-16页 |
第二章 CMOS工艺下的双极型晶体管的温度特性 | 第16-34页 |
·CMOS 工艺下的双极型晶体管的实现 | 第16-17页 |
·CMOS 工艺下的双极型晶体管的 I-V 特性 | 第17-19页 |
·符号说明 | 第17-18页 |
·IC-VBE特性 | 第18页 |
·IE-VBE特性 | 第18-19页 |
·CMOS 工艺下的双极型晶体管的固有的温度特性 | 第19-27页 |
·VBE的温度特性 | 第20-21页 |
·ΔVBE的温度特性 | 第21-23页 |
·有限的电流增益βF对 VBE的影响 | 第23-24页 |
·偏置电流中偏置电阻的温度特性的对 VBE的影响 | 第24-25页 |
·厄立电压效应对 VBE的影响 | 第25-27页 |
·串联欧姆电阻引起的ΔVBE的偏差 | 第27页 |
·CMOS 工艺下的双极型晶体管的随机的温度特性 | 第27-31页 |
·饱和电流的工艺偏差的影响 | 第28页 |
·偏置电阻的工艺偏差的影响 | 第28-29页 |
·有限电流增益的工艺偏差的影响 | 第29页 |
·负向厄立电压效应的工艺偏差的影响 | 第29-31页 |
·电流镜的失配引起的ΔVBE的误差 | 第31页 |
·小结 | 第31-34页 |
第三章 温度传感器中非理想因素的消除 | 第34-48页 |
·斩波稳零技术 | 第34-37页 |
·斩波稳零技术的基本原理 | 第35-36页 |
·斩波运放的残余失调电压 | 第36-37页 |
·动态匹配技术 | 第37-38页 |
·二阶曲率补偿技术 | 第38-40页 |
·trimming 技术 | 第40-45页 |
·电压域的 trimming 技术 | 第41-42页 |
·电流域的 trimming 技术 | 第42-43页 |
·基于调制器的 trimming 技术 | 第43-44页 |
·数字 trimming 技术 | 第44-45页 |
·有限电流增益βF造成的误差的消除 | 第45-46页 |
·小结 | 第46-48页 |
第四章 CMOS温度传感器的系统级设计 | 第48-60页 |
·CMOS 温度传感器架构的选取 | 第48-53页 |
·常见的 CMOS 温度传感器架构一 | 第48-50页 |
·常见的 CMOS 温度传感器架构二 | 第50-51页 |
·本文所采用的温度传感器架构 | 第51-53页 |
·CMOS 温度传感器中 ADC 的选取 | 第53-57页 |
·直接转换 ADC 对比间接转换 ADC | 第53-54页 |
·同步调制器对比异步调制器 | 第54-56页 |
·本文所采用的 ADC | 第56-57页 |
·CMOS 温度传感器中的误差分配 | 第57-58页 |
·小结 | 第58-60页 |
第五章 CMOS温度传感器中的关键电路的设计 | 第60-78页 |
·ADC 模块的设计与仿真 | 第60-68页 |
·ΣΔADC 的位数的选取以及抽样滤波器的设计 | 第61-63页 |
·积分器的设计 | 第63-64页 |
·比较器的设计 | 第64-66页 |
·为运放和比较器提供偏置的电路的设计 | 第66-67页 |
·ΣΔADC 中的 R2/R1的比例的选取 | 第67-68页 |
·PTAT 电流偏置电路的设计 | 第68-71页 |
·PTAT 电流产生电路的设计 | 第71-73页 |
·CTAT 电流产生电路 | 第73-74页 |
·trimming 电路的设计 | 第74-76页 |
·trimming 电阻的电阻类型的选择 | 第74-75页 |
·trimming 电路中可编程电阻的电阻值的设计 | 第75-76页 |
·小结 | 第76-78页 |
第六章 温度传感器整体电路设计、仿真与校准 | 第78-88页 |
·整体电路的架构和时序 | 第78-80页 |
·温度传感器的校准 | 第80-83页 |
·温度传感器的整体电路的仿真 | 第83-86页 |
·温度传感器的精度仿真 | 第83-85页 |
·温度传感器的功耗仿真 | 第85-86页 |
·本文的温度传感器性能指标小结 | 第86-88页 |
第七章 总结与展望 | 第88-90页 |
·论文总结 | 第88-89页 |
·展望 | 第89-90页 |
致谢 | 第90-92页 |
参考文献 | 第92-95页 |