| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·研究意义及存在的问题 | 第7-10页 |
| ·国内外研究进展 | 第10-12页 |
| ·国外研究进展和发展趋势 | 第10-11页 |
| ·国内研究概况、水平和发展趋势 | 第11-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 欧姆接触理论 | 第13-23页 |
| ·金属半导体接触理论 | 第13-18页 |
| ·肖特基势垒高度 | 第14页 |
| ·钉扎现象 | 第14-15页 |
| ·载流子的输运过程 | 第15-16页 |
| ·载流子的输运方程 | 第16-17页 |
| ·比接触电阻ρ_c | 第17-18页 |
| ·nN 结理论 | 第18-22页 |
| ·异质结欧姆接触理论 | 第18-19页 |
| ·nN 型异质结 | 第19-20页 |
| ·界面态的影响 | 第20-21页 |
| ·nn~+型同质结的影响 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 欧姆接触模型研究 | 第23-33页 |
| ·概述 | 第23-24页 |
| ·p 型SiC 欧姆接触模型研究 | 第24-29页 |
| ·p 型SiC 欧姆接触 | 第24-26页 |
| ·p 型SiC 欧姆接触模型及计算机模拟 | 第26-28页 |
| ·p 型SiC 欧姆接触稳定性及其改进 | 第28-29页 |
| ·n 型SiC 欧姆接触机理研究 | 第29-32页 |
| ·n 型SiC 欧姆接触的形成机理 | 第29-31页 |
| ·n 型SiC 欧姆接触稳定性及其改进 | 第31页 |
| ·SiC 中Ge 对欧姆接触的影响 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 欧姆接触实验 | 第33-47页 |
| ·SiC 离子注入研究 | 第33-35页 |
| ·SiC 中的杂质 | 第33页 |
| ·SiC 离子注入技术 | 第33-35页 |
| ·离子注入退火工艺 | 第35-39页 |
| ·退火掩膜的要求 | 第36页 |
| ·AlN 掩膜在退火中的应用 | 第36-37页 |
| ·AlN 退火掩膜在Ar 气氛和N 气氛中退火的比较 | 第37-38页 |
| ·AlN 掩膜的改进 | 第38-39页 |
| ·离子注入制备欧姆接触条件研究 | 第39-42页 |
| ·施主杂质的选择 | 第39页 |
| ·离子注入能量和注入温度 | 第39-40页 |
| ·掺杂浓度的设计 | 第40页 |
| ·退火时间和退火温度 | 第40-42页 |
| ·工艺流程和版图 | 第42-45页 |
| ·工艺流程 | 第42-44页 |
| ·版图 | 第44页 |
| ·流片情况 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 欧姆接触的测试 | 第47-55页 |
| ·欧姆接触测试的基本思想 | 第47页 |
| ·欧姆接触的测试方法 | 第47-54页 |
| ·传输线模型法（TLM 法） | 第47-48页 |
| ·传输线模型分析及修正 | 第48-51页 |
| ·作图的传输线法 | 第51-52页 |
| ·其他改进的测试方法 | 第52-53页 |
| ·测试方法的比较 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 硕士期间参加课题研究及论文发表情况 | 第64页 |