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光互连中光开关与光探测器件的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
1 绪论第10-15页
   ·引言第10-11页
   ·课题研究的意义第11-14页
     ·研究光开关的意义第11-13页
     ·研究单片高速硅基光电探测器的意义第13-14页
   ·本课题研究的内容与论文结构安排第14页
   ·本章小结第14-15页
2 与偏振无关光开关第15-40页
   ·引言第15-16页
   ·2×2 光开关原理与矩阵分析第16-21页
     ·2×2 光开关原理第16-17页
     ·2×2 光开关矩阵分析第17-18页
     ·等光程性分析第18-19页
     ·与国外技术比较第19-21页
   ·4×4 光开关原理与矩阵分析第21-27页
     ·4×4 光开关原理第21-23页
     ·4×4 光开关矩阵分析第23-24页
     ·等光程性分析第24-25页
     ·4×4 光开关路由控制第25-27页
   ·光互连与光交换系统中偏振相关损耗对偏振态的影响第27-31页
     ·PDL 的定义第27页
     ·具有PDL 器件的Stokes 模型第27-29页
     ·PDL 对出射光偏振度的影响第29-30页
     ·PDL 对出射光强度的影响第30-31页
     ·PDL 对信号光偏振态的影响第31页
   ·与偏振无关光开关的偏振相关损耗分析第31-37页
     ·2×2 光开关偏振相关损耗分析第32-34页
     ·4×4 光开关偏振相关损耗分析第34-37页
   ·偏振相关损耗的测量第37-38页
   ·光开关的装配与调试第38页
   ·本章小结第38-40页
3 硅基集成光电探测器第40-59页
   ·引言第40页
   ·光电探测器基础第40-44页
     ·光电探测器工作原理第40-42页
     ·光电探测器性能参数第42-44页
   ·硅基集成光电探测器的种类与发展第44-49页
     ·用于光电集成的探测器种类第44-45页
     ·硅基集成光电探测器的发展第45-49页
   ·基于标准集成电路工艺的硅基光电探测器第49-57页
     ·与标准双极工艺兼容的集成光探测器第50-52页
     ·基于CMOS 工艺的集成光电探测器第52-55页
     ·BiCMOS 工艺下集成光电探测器集成第55-57页
   ·本章小结第57-59页
4 共振腔增强型硅探测器的原理及特性分析第59-69页
   ·引言第59页
   ·RCE 探测器原理第59-60页
   ·RCE 光电探测器的量子效率第60-62页
   ·RCE 光电探测器的带宽特性第62-65页
   ·RCE 光电探测器的波长选择性第65页
   ·一种简单的 RCE 探测器的制作技术第65-67页
   ·Fabry-Perot 光学谐振腔及在光电器件中的应用第67-68页
     ·Fabry-Perot 光学谐振腔第67页
     ·Fabry-Perot 光学谐振腔在光电器件中的应用第67-68页
   ·本章小结第68-69页
5 全文总结第69-71页
致谢第71-72页
参考文献第72-76页
附录 1 攻读学位期间发表论文目录第76-77页
附录 2 术语表第77-78页

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