| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-25页 |
| ·课题目的和意义 | 第10页 |
| ·国际国内研究现状和背景 | 第10-22页 |
| ·数字射频存储器 | 第10-14页 |
| ·模数转换器电路 | 第14-19页 |
| ·数模转换器电路 | 第19-21页 |
| ·砷化嫁材料与硅材料的比较 | 第21-22页 |
| ·研究基础 | 第22-23页 |
| ·本论文的主要贡献 | 第23页 |
| ·论文结构和安排 | 第23-25页 |
| 第二章 GaAs MESFET器件研究 | 第25-51页 |
| ·GaAS器件建模 | 第25-45页 |
| ·GaAs MESFET器件物理建模 | 第26-29页 |
| ·GaAs MESFET器件等效电路 | 第29-32页 |
| ·GaAs器件模型参数提取 | 第32-35页 |
| ·用改进的遗产算法提取小信号等效电路参数 | 第35-45页 |
| ·旁栅效应对 GaAs MESFET数字 IC设计的影响 | 第45-50页 |
| ·实验设计 | 第45-46页 |
| ·测试结果 | 第46-48页 |
| ·讨论与分析 | 第48-50页 |
| ·结论 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 工艺流程及电路成品率仿真 | 第51-64页 |
| ·适于 GaAs MESFET大规模集成电路的工艺研究 | 第51-58页 |
| ·有源及无源器件 | 第51-55页 |
| ·版图设计规则 | 第55-58页 |
| ·工艺流程 | 第58页 |
| ·GaAs Flash ADC电路成品率研究 | 第58-63页 |
| ·理论分析 | 第59-60页 |
| ·仿真分析与讨论 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 超高速 GaAs相位体制 DAC电路的设计与测试 | 第64-84页 |
| ·相位体制 DAC电路设计与实现 | 第64-66页 |
| ·电路设计 | 第64-66页 |
| ·工艺实现 | 第66页 |
| ·电路测试与表征 | 第66-80页 |
| ·静态性能测试 | 第67-73页 |
| ·动态性能测试 | 第73-80页 |
| ·测试环境 | 第80-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 第五章 超高速 GaAs相位体制 ADC电路的设计与测试 | 第84-98页 |
| ·相位体制 ADC电路设计与实现 | 第84-88页 |
| ·电路设计 | 第84-88页 |
| ·工艺实现 | 第88页 |
| ·电路测试 | 第88-94页 |
| ·测试方法 | 第88-92页 |
| ·电路参数表征 | 第92-94页 |
| ·超高速电路测试探讨 | 第94-96页 |
| ·本章小结 | 第96-98页 |
| 第六章 超高速 GaAs幅度体制 DAC及 ADC电路的设计与实现 | 第98-108页 |
| ·幅度体制 DAC电路的设计与实现 | 第98-103页 |
| ·电路设计 | 第98-99页 |
| ·工艺实现 | 第99-100页 |
| ·电路测试 | 第100-102页 |
| ·结论 | 第102-103页 |
| ·幅度体制 ADC电路的设计与实现 | 第103-107页 |
| ·电路设计 | 第103-105页 |
| ·工艺实现 | 第105-106页 |
| ·电路测试 | 第106页 |
| ·结论 | 第106-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 第七章 结论及未来展望 | 第108-111页 |
| ·结论 | 第108-109页 |
| ·未来展望 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-118页 |
| 发表文章目录 | 第118-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 作者简历 | 第120-121页 |
| 学位论文独创性声明 | 第121页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第121页 |
