ZnO压电薄膜压力传感器的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| ·课题的研究背景 | 第8-9页 |
| ·MEMS微力传感器研究现状 | 第9-13页 |
| ·ZnO压电薄膜的基本特性及其应用 | 第13-15页 |
| ·课题意义与研究的主要内容 | 第15-17页 |
| 2 ZnO压电薄膜微传感器的理论研究和结构设计 | 第17-29页 |
| ·压电式传感器基本原理及压电方程 | 第17-20页 |
| ·ZnO压电薄膜微悬臂梁传感器结构设计 | 第20-25页 |
| ·压电微悬臂梁基本结构及原理 | 第20-21页 |
| ·复合微悬臂梁结构设计 | 第21-22页 |
| ·压电微悬臂梁的F-Q转换方程推导 | 第22-25页 |
| ·压电微悬臂梁结构尺寸优化 | 第25-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 3 ZnO薄膜的制备 | 第29-39页 |
| ·压电材料及压电效应 | 第29-31页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第31-33页 |
| ·溅射法制备ZnO薄膜的基本原理 | 第33-35页 |
| ·磁控溅射装置 | 第33-34页 |
| ·磁控溅射基本原理 | 第34-35页 |
| ·溅射法制备ZnO薄膜的工艺 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 4 ZnO压电薄膜传感器制备技术研究 | 第39-50页 |
| ·微机械加工技术 | 第39-43页 |
| ·光刻技术 | 第39-41页 |
| ·薄膜淀积技术 | 第41-42页 |
| ·刻蚀技术 | 第42-43页 |
| ·ZnO压电薄膜微悬臂梁制备的工艺流程 | 第43-45页 |
| ·掩模板的设计 | 第45-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 5 ZnO压电薄膜传感器的制作与实验分析 | 第50-66页 |
| ·ZnO压电薄膜微悬臂梁制备的关键工艺 | 第50-52页 |
| ·ZnO压电薄膜层图形化研究 | 第50页 |
| ·剥离法制备Cu上电极研究 | 第50-51页 |
| ·ZnO压电薄膜微悬臂释放工艺 | 第51-52页 |
| ·正面生长SiO_2并图形化 | 第52-55页 |
| ·工艺一：清洗硅片 | 第52页 |
| ·工艺二：硅片正面生长SiO_2 | 第52-53页 |
| ·工艺三：正面SiO_2图形化 | 第53-55页 |
| ·正面溅射Cu并图形化 | 第55-57页 |
| ·工艺四：溅射Cu底电极 | 第55-56页 |
| ·工艺五：底电极图形化 | 第56-57页 |
| ·正面溅射ZnO并图形化 | 第57-58页 |
| ·工艺六：溅射ZnO压电薄膜层 | 第57页 |
| ·工艺七：压电层图形化 | 第57-58页 |
| ·剥离法制备Cu上电极 | 第58-60页 |
| ·工艺八：正面光刻胶图形化 | 第58页 |
| ·工艺九：剥离法制备Cu上电极 | 第58-60页 |
| ·背面生长SiO_2并图形化 | 第60-61页 |
| ·工艺十：PECVD背面生长SiO_2 | 第60页 |
| ·工艺十一：背面SiO_2图形化 | 第60-61页 |
| ·双面ICP刻蚀Si | 第61-65页 |
| ·工艺十二：正面ICP刻蚀Si | 第61-62页 |
| ·工艺十三：背面ICP刻蚀Si释放微悬臂梁 | 第62-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 6 结论和展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 在学期间取得成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
