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钙钛矿结构锰氧化物块材的内耗及膜材的制备和输运性能的研究

第一章 巨磁电阻效应及相关材料的研究进展第1-24页
   ·引言第13页
   ·磁电阻效应(MR)第13-14页
   ·磁电阻材料第14-19页
     ·磁性多层膜中的巨磁电阻效应(GMR)第14-15页
     ·颗粒膜中的磁电阻效应(GMR)第15-16页
     ·隧道巨磁电阻效应(GMR)第16-18页
     ·锰氧化物中的超大磁电阻效应(CMR)第18-19页
   ·磁电阻效应的应用第19-20页
   ·CMR材料的最新进展及应用前景第20-21页
   ·本论文研究的目的第21-24页
第二章 锰氧化物巨磁材料的物理性质第24-37页
   ·稀土锰氧化物的晶体结构第24-28页
     ·晶体结构特征第24-25页
     ·Jahn-Teller畸变第25-27页
     ·外界条件对晶体结构的影响第27-28页
   ·锰氧化物的磁结构第28-29页
   ·锰氧化物的电子结构第29-32页
     ·电子结构特征第29-30页
     ·电荷有序第30-32页
   ·锰氧化物的电磁结构相图第32-34页
   ·相分离第34-37页
第三章 锰氧化物La_(0.85)MnO_3块材的低频内耗与电磁输运性能第37-53页
   ·内耗的测量原理第37-44页
     ·内耗的定义第37-38页
     ·内耗的唯象理论第38-39页
     ·由弹性模量或顺度表征内耗第39页
     ·内耗测量方法分类与比较第39-41页
     ·振动系统与试样内耗的关系第41页
     ·内耗测量的实验装置第41-44页
   ·磁电阻的测量与磁输运性质第44-46页
     ·标准四引线法测量电阻的原理第44-45页
     ·交流磁化率第45-46页
   ·La_(0.85)MnO_3的电磁性能和低频内耗第46-51页
     ·实验方法第46页
     ·晶体结构第46-47页
     ·低频内耗及其机理讨论第47-48页
     ·电阻、磁电阻效应和磁化率第48-49页
     ·锰氧化物中的巨磁电阻效应第49-51页
   ·本章小结第51-53页
第四章 三层膜的制备及其磁电阻效应第53-74页
   ·直流磁控溅射原理第53-54页
   ·仪器简介及其操作使用第54-56页
     ·仪器简介第54-55页
     ·仪器的操作使用第55-56页
   ·薄膜的制备工艺第56-58页
   ·薄膜样品的制备第58-60页
     ·靶材的制备第58页
     ·基片的清洗第58-59页
     ·单层薄膜样品的制备第59-60页
     ·多层膜样品的制备第60页
     ·薄膜厚度的测量第60页
   ·三层膜的制备及其磁电阻效应第60-68页
     ·三层膜样品的制备与实验第61-62页
     ·LSMO/L0.85MO/LSMO三层膜的电阻和巨磁电阻效应第62-65页
     ·LSMO/LMO/LSMO三层膜的电阻和巨磁电阻效应第65-67页
     ·三层膜的电输运性能讨论第67-68页
   ·(LSMO/L0.85MO)_n和(LSMO/LMO)_n多层膜的制备及其磁电阻效应第68-72页
     ·(LSMO/L0.85MO)_n和(LSMO/LMO)_n多层膜的制备第68-69页
     ·(LSMO/L0.85MO)_n多层膜的输运性能和磁电阻效应第69-70页
     ·(LSMO/LMO)_n多层膜的输运性能和磁电阻效应第70-71页
     ·多层膜的电输运性能讨论第71-72页
   ·本章小结第72-74页
第五章 结论第74-75页

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