第一章 巨磁电阻效应及相关材料的研究进展 | 第1-24页 |
·引言 | 第13页 |
·磁电阻效应(MR) | 第13-14页 |
·磁电阻材料 | 第14-19页 |
·磁性多层膜中的巨磁电阻效应(GMR) | 第14-15页 |
·颗粒膜中的磁电阻效应(GMR) | 第15-16页 |
·隧道巨磁电阻效应(GMR) | 第16-18页 |
·锰氧化物中的超大磁电阻效应(CMR) | 第18-19页 |
·磁电阻效应的应用 | 第19-20页 |
·CMR材料的最新进展及应用前景 | 第20-21页 |
·本论文研究的目的 | 第21-24页 |
第二章 锰氧化物巨磁材料的物理性质 | 第24-37页 |
·稀土锰氧化物的晶体结构 | 第24-28页 |
·晶体结构特征 | 第24-25页 |
·Jahn-Teller畸变 | 第25-27页 |
·外界条件对晶体结构的影响 | 第27-28页 |
·锰氧化物的磁结构 | 第28-29页 |
·锰氧化物的电子结构 | 第29-32页 |
·电子结构特征 | 第29-30页 |
·电荷有序 | 第30-32页 |
·锰氧化物的电磁结构相图 | 第32-34页 |
·相分离 | 第34-37页 |
第三章 锰氧化物La_(0.85)MnO_3块材的低频内耗与电磁输运性能 | 第37-53页 |
·内耗的测量原理 | 第37-44页 |
·内耗的定义 | 第37-38页 |
·内耗的唯象理论 | 第38-39页 |
·由弹性模量或顺度表征内耗 | 第39页 |
·内耗测量方法分类与比较 | 第39-41页 |
·振动系统与试样内耗的关系 | 第41页 |
·内耗测量的实验装置 | 第41-44页 |
·磁电阻的测量与磁输运性质 | 第44-46页 |
·标准四引线法测量电阻的原理 | 第44-45页 |
·交流磁化率 | 第45-46页 |
·La_(0.85)MnO_3的电磁性能和低频内耗 | 第46-51页 |
·实验方法 | 第46页 |
·晶体结构 | 第46-47页 |
·低频内耗及其机理讨论 | 第47-48页 |
·电阻、磁电阻效应和磁化率 | 第48-49页 |
·锰氧化物中的巨磁电阻效应 | 第49-51页 |
·本章小结 | 第51-53页 |
第四章 三层膜的制备及其磁电阻效应 | 第53-74页 |
·直流磁控溅射原理 | 第53-54页 |
·仪器简介及其操作使用 | 第54-56页 |
·仪器简介 | 第54-55页 |
·仪器的操作使用 | 第55-56页 |
·薄膜的制备工艺 | 第56-58页 |
·薄膜样品的制备 | 第58-60页 |
·靶材的制备 | 第58页 |
·基片的清洗 | 第58-59页 |
·单层薄膜样品的制备 | 第59-60页 |
·多层膜样品的制备 | 第60页 |
·薄膜厚度的测量 | 第60页 |
·三层膜的制备及其磁电阻效应 | 第60-68页 |
·三层膜样品的制备与实验 | 第61-62页 |
·LSMO/L0.85MO/LSMO三层膜的电阻和巨磁电阻效应 | 第62-65页 |
·LSMO/LMO/LSMO三层膜的电阻和巨磁电阻效应 | 第65-67页 |
·三层膜的电输运性能讨论 | 第67-68页 |
·(LSMO/L0.85MO)_n和(LSMO/LMO)_n多层膜的制备及其磁电阻效应 | 第68-72页 |
·(LSMO/L0.85MO)_n和(LSMO/LMO)_n多层膜的制备 | 第68-69页 |
·(LSMO/L0.85MO)_n多层膜的输运性能和磁电阻效应 | 第69-70页 |
·(LSMO/LMO)_n多层膜的输运性能和磁电阻效应 | 第70-71页 |
·多层膜的电输运性能讨论 | 第71-72页 |
·本章小结 | 第72-74页 |
第五章 结论 | 第74-75页 |