| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-30页 |
| ·半导体材料发展概述 | 第11-13页 |
| ·有机/无机复合半导体材料的研究进展 | 第13-27页 |
| ·基于金属卤化物的静电型有机/无机复合半导体材料 | 第13-22页 |
| ·基于金属硫化物的配位型有机/无机复合半导体材料 | 第22-25页 |
| ·基于金属卤化物的配位型有机/无机复合半导体材料 | 第25-27页 |
| ·有机/无机复合半导体材料研究中存在的问题 | 第27-28页 |
| ·论文的研究思路和主要内容 | 第28-30页 |
| 第2章 实验方法与技术 | 第30-37页 |
| ·试剂与仪器 | 第30-32页 |
| ·主要试剂 | 第30页 |
| ·测试仪器 | 第30-32页 |
| ·有机/无机复合半导体材料性质研究方法 | 第32-37页 |
| ·带隙的测试方法 | 第32页 |
| ·量子化学计算方法 | 第32-34页 |
| ·成膜性和薄膜表面形貌的研究 | 第34-35页 |
| ·薄膜电导率的测试方法 | 第35-37页 |
| 第3章 碘化镉/苯乙胺系列复合半导体材料的研究 | 第37-55页 |
| ·研究背景 | 第37-38页 |
| ·碘化镉/苯乙胺系列复合半导体材料的合成 | 第38-39页 |
| ·CdI_2(PEA)_2 的制备 | 第38-39页 |
| ·CdI_2(PEA)_4 的制备 | 第39页 |
| ·CdS 掺杂的CdI_2(PEA)_2 的制备 | 第39页 |
| ·碘化镉/苯乙胺系列复合半导体材料的单晶结构 | 第39-46页 |
| ·碘化镉/苯乙胺系列复合半导体材料的性质研究 | 第46-53页 |
| ·碘化镉/苯乙胺系列复合半导体材料的带隙 | 第46-47页 |
| ·碘化镉/苯乙胺系列复合半导体材料的荧光性质 | 第47-50页 |
| ·量子化学理论计算与讨论 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第4章 金属卤化物/胺基乙基咔唑系列复合半导体材料的研究 | 第55-74页 |
| ·研究背景 | 第55-56页 |
| ·金属卤化物/胺基乙基咔唑系列复合半导体材料的合成 | 第56-58页 |
| ·N-(2-胺基乙基)咔唑（AEC）的制备 | 第56页 |
| ·ZnCl_2(AEC)_2 的制备 | 第56-57页 |
| ·ZnI_2(AEC)_2 的制备 | 第57页 |
| ·CdI_2(AEC)_2 的制备 | 第57页 |
| ·HgI_2(AEC)_2 的制备 | 第57-58页 |
| ·金属卤化物/胺基乙基咔唑系列复合半导体材料的单晶结构 | 第58-62页 |
| ·金属卤化物/胺基乙基咔唑系列复合半导体材料的性质研究 | 第62-72页 |
| ·金属卤化物/胺基乙基咔唑系列复合半导体材料的带隙 | 第62-64页 |
| ·金属卤化物/胺基乙基咔唑系列复合半导体材料的荧光性质 | 第64-67页 |
| ·量子化学理论计算与讨论 | 第67-68页 |
| ·金属卤化物 | 第68-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第5章 金属卤化物/吖啶系列复合半导体材料的研究 | 第74-86页 |
| ·研究背景 | 第74页 |
| ·金属卤化物/吖啶系列复合半导体材料的合成 | 第74-75页 |
| ·CdI_2(AD)的制备 | 第74-75页 |
| ·HgI_2(AD)的制备 | 第75页 |
| ·金属卤化物/吖啶系列复合半导体材料的单晶结构 | 第75-79页 |
| ·金属卤化物/吖啶系列复合半导体材料的性质研究 | 第79-84页 |
| ·金属卤化物/吖啶系列复合半导体材料的带隙 | 第79页 |
| ·金属卤化物/吖啶系列复合半导体材料的荧光性质 | 第79-81页 |
| ·量子化学理论计算与讨论 | 第81-83页 |
| ·金属卤化物/吖啶系列复合半导体材料的薄膜电导率 | 第83-84页 |
| ·本章小结 | 第84-86页 |
| 第6章 结论 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第99页 |
