| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| ·研究背景及意义 | 第12-19页 |
| ·超大规模集成电路发展及器件可靠性概述 | 第12-14页 |
| ·NBTI 效应研究的历史背景及其对器件和电路的影响 | 第14-17页 |
| ·NBTI 效应研究意义 | 第17-19页 |
| ·NBTI 研究的现状及进展 | 第19-21页 |
| ·本论文研究内容及安排 | 第21-24页 |
| 第二章 微纳米PMOSFET中的NBTI效应研究 | 第24-58页 |
| ·实验器件与实验方法 | 第24-28页 |
| ·实验器件 | 第24-25页 |
| ·NBTI 效应研究的测试方案与测量方法 | 第25-28页 |
| ·PMOS 器件 I V 特性及静态参数的退化 | 第28-33页 |
| ·NBTI 效应对1.4nm PMOS 器件 I- V 特性的影响 | 第28-30页 |
| ·NBTI 效应对7nm PMOS 器件 I- V 特性的影响 | 第30-32页 |
| ·NBTI 效应对大小两种尺寸 PMOS 器件的影响比较 | 第32-33页 |
| ·PMOS 器件静态参数随 NBTI 应力时间的退化 | 第33-38页 |
| ·阈值电压随应力时间的漂移情况 | 第33-34页 |
| ·漏电流随应力时间的漂移情况 | 第34-36页 |
| ·最大跨导随应力时间的漂移情况 | 第36-37页 |
| ·PMOS 器件整体参数随应力时间的漂移情况 | 第37-38页 |
| ·NBTI 应力条件对 PMOS 器件 NBTI 效应的影响 | 第38-45页 |
| ·应力温度对 NBTI 效应的影响 | 第38-40页 |
| ·栅压应力对 NBTI 效应的影响 | 第40-45页 |
| ·PMOS 器件结构尺寸对 NBTI 效应的影响 | 第45-56页 |
| ·栅宽对 PMOS 器件 NBTI 效应的影响 | 第46-48页 |
| ·栅长对 PMOS 器件 NBTI 效应的影响 | 第48-55页 |
| ·栅氧厚度对 PMOS 器件 NBTI 效应的影响 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第三章 PMOSFET 中的 NBTI 效应机理研究 | 第58-80页 |
| ·引起器件退化的 Si-SiO_2系统的主要缺陷 | 第58-63页 |
| ·Si SiO_2系统的主要缺陷 | 第59-60页 |
| ·界面陷阱与氧化层电荷对 MOS 器件的影响 | 第60-63页 |
| ·NBTI 效应的物理模型 | 第63-78页 |
| ·界面陷阱产生模型 | 第64-66页 |
| ·固定电荷产生模型 | 第66页 |
| ·基于氢物质的反应扩散模型 | 第66-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 第四章 微纳米PMOSFET中DNBTI与BNBTI效应研究 | 第80-102页 |
| ·热载流子效应 | 第80-81页 |
| ·DNBTI 效应 | 第81-93页 |
| ·漏端电压应力（固定栅电压应力）+NBTI 退化现象 | 第82-86页 |
| ·漏端电压应力（固定栅电压应力）+NBTI 退化机理 | 第86-89页 |
| ·漏端电压应力（固定漏电压应力）+NBTI 退化现象及机理 | 第89-92页 |
| ·DNBTI 退化总结 | 第92-93页 |
| ·BNBTI 效应 | 第93-100页 |
| ·SHH（固定栅电压应力）+NBTI 退化现象 | 第93-95页 |
| ·SHH（固定栅电压应力）+NBTI 退化机理 | 第95-97页 |
| ·SHH（固定衬底电压应力）+NBTI 退化现象及机理 | 第97-99页 |
| ·SHH+NBTI 恢复效应 | 第99-100页 |
| ·BNBTI 退化总结 | 第100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 第五章 微纳米PMOSFET动态NBTI效应研究 | 第102-128页 |
| ·动态 NBTI 效应研究的实验方案 | 第102-104页 |
| ·动态 NBTI 效应对 PMOS 器件的影响 | 第104-113页 |
| ·动态 NBTI 效应的恢复现象 | 第104-106页 |
| ·动态 NBTI 效应的恢复分析 | 第106-108页 |
| ·不同条件对器件恢复的影响 | 第108-113页 |
| ·PMOS 器件 NBTI 效应的实时监测 | 第113-116页 |
| ·PMOS 器件 NBTI 效应实时监测分析 | 第116-125页 |
| ·NBTI 效应实时监测所采用的器件与实验设置 | 第116页 |
| ·NBTI 效应实时监测结果 | 第116-120页 |
| ·NBTI 效应实时监测机制分析 | 第120-125页 |
| ·NBTI 效应实时监测总结 | 第125页 |
| ·本章小结 | 第125-128页 |
| 第六章 NBTI 应力过程中的 SILC 研究 | 第128-142页 |
| ·SILC 简介 | 第128-130页 |
| ·NBTI 应力过程中的 SILC | 第130-140页 |
| ·NBTI 应力过程中 SILC 的退化现象 | 第131-133页 |
| ·NBTI 应力过程中 SILC 的退化机制 | 第133-137页 |
| ·NBTI 应力过程中 SILC 退化总结 | 第137-138页 |
| ·SILC 反映陷阱变化 | 第138-140页 |
| ·本章小结 | 第140-142页 |
| 第七章 结束语 | 第142-146页 |
| ·本文的主要结论 | 第142-144页 |
| ·未来的工作 | 第144-146页 |
| 致谢 | 第146-148页 |
| 参考文献 | 第148-160页 |
| 论文期间研究成果 | 第160-162页 |
