多晶硅导电材料辐射损伤噪声灵敏表征技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-10页 |
| ·研究背景 | 第8页 |
| ·研究现状 | 第8-9页 |
| ·研究目的和论文结构 | 第9-10页 |
| 第二章 多晶硅导电材料辐射损伤表征原理研究 | 第10-24页 |
| ·多晶硅导电材料的器件应用 | 第10-13页 |
| ·多晶硅导电材料的结构 | 第10-12页 |
| ·多晶硅导电材料的应用 | 第12-13页 |
| ·多晶硅导电材料辐射损伤机理与模型 | 第13-15页 |
| ·多晶硅导电材料辐射损伤微观机制 | 第13-14页 |
| ·多晶硅导电材料辐射损伤模型 | 第14-15页 |
| ·多晶硅器件的辐射效应 | 第15-21页 |
| ·多晶硅电阻器的辐射效应 | 第15-17页 |
| ·多晶硅TFT的辐射效应 | 第17-19页 |
| ·多晶硅器件辐射1/f噪声变化 | 第19-21页 |
| ·1/f噪声与多晶硅导电材料缺陷 | 第21页 |
| ·材料与器件相结合的辐射效应研究方法 | 第21-24页 |
| ·多晶硅导电材料辐射损伤与器件退化 | 第21-22页 |
| ·材料辐射损伤-噪声测试样品研究方法 | 第22-24页 |
| 第三章 多晶硅导电材料辐照损伤灵敏表征参量研究 | 第24-40页 |
| ·实验样品设计 | 第24-30页 |
| ·多晶硅导电材料辐照-噪声测试结构的设计思想 | 第24-25页 |
| ·测试样品的版图设计与制作 | 第25-27页 |
| ·样品特性 | 第27-30页 |
| ·辐照实验 | 第30-32页 |
| ·辐照实验方案及测试环境 | 第30页 |
| ·参量测试平台 | 第30-32页 |
| ·辐照实验结果分析 | 第32-37页 |
| ·电学测试结果分析 | 第32-34页 |
| ·噪声测试结果分析 | 第34-37页 |
| ·多晶硅导电材料辐射损伤灵敏表征参量优选 | 第37-40页 |
| ·灵敏表征参量优选原则 | 第37-38页 |
| ·噪声灵敏表征参量优选 | 第38-40页 |
| 第四章 多晶硅导电材料辐射损伤噪声表征技术研究 | 第40-52页 |
| ·多晶硅导电材料1/f噪声表征模型 | 第40-47页 |
| ·迁移率涨落模型 | 第40-42页 |
| ·载流子数涨落模型 | 第42-44页 |
| ·1/f噪声统一模型 | 第44-45页 |
| ·辐射损伤1/f噪声表征模型 | 第45-47页 |
| ·多晶硅导电材料辐射损伤噪声表征技术 | 第47-52页 |
| ·多晶硅导电材料噪声表征方法概述 | 第47页 |
| ·参量提取方法 | 第47-49页 |
| ·失效判据 | 第49-50页 |
| ·基本流程 | 第50-52页 |
| 第五章 结论和展望 | 第52-54页 |
| ·主要研究工作及结论 | 第52-53页 |
| ·展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 作者在读研期间的成果 | 第59-60页 |
