准一维硅纳米材料的制备及其场发射特性
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-33页 |
| ·准一维硅纳米材料的制备方法 | 第13-18页 |
| ·金属催化剂辅助方法 | 第13-14页 |
| ·氧化物辅助方法 | 第14-15页 |
| ·无催化方法 | 第15-16页 |
| ·化学腐蚀和物理刻蚀法 | 第16-18页 |
| ·准一维硅纳米材料的基本物理性质 | 第18-26页 |
| ·能带结构 | 第19-21页 |
| ·电输运性质 | 第21-23页 |
| ·热输运性质 | 第23-24页 |
| ·场发射性质 | 第24-26页 |
| ·准一维硅纳米材料的应用 | 第26-31页 |
| ·太阳能电池 | 第26-27页 |
| ·锂离子电池 | 第27-28页 |
| ·传感器 | 第28-31页 |
| ·本文主要研究内容和思路 | 第31-33页 |
| 第二章 金属催化硅纳米线的生长及其机理分析 | 第33-58页 |
| ·实验流程 | 第33-34页 |
| ·实验步骤 | 第34-37页 |
| ·硅衬底处理 | 第34页 |
| ·真空沉积金属薄膜 | 第34页 |
| ·化学气相沉积生长硅线 | 第34-35页 |
| ·样品表征 | 第35-37页 |
| ·金催化生长硅纳米线 | 第37-49页 |
| ·氧气含量对生长的影响 | 第40-43页 |
| ·VLS过程中金原子的迁移 | 第43-46页 |
| ·硅纳米线的缺陷 | 第46-49页 |
| ·草酸铜诱导生长硅纳米线 | 第49-57页 |
| ·阳极氧化铝衬底的制备 | 第49-51页 |
| ·草酸铜诱导生长硅纳米线及其生长机理分析 | 第51-55页 |
| ·硅纳米线拉曼谱 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第三章 硅纳米锥生长及其动力学研究 | 第58-80页 |
| ·硅纳米锥制备概述 | 第61-63页 |
| ·单段纳米锥 | 第63-66页 |
| ·实验方法 | 第63页 |
| ·单晶纳米锥形貌结构表征 | 第63-64页 |
| ·单段纳米锥生长速率统计 | 第64-66页 |
| ·多段纳米锥的设计与生长 | 第66-69页 |
| ·总气压调节 | 第66页 |
| ·氢气含量调节 | 第66-67页 |
| ·多段纳米锥设计 | 第67-69页 |
| ·纳米锥生长控制 | 第69-73页 |
| ·多段纳米锥生长速率统计 | 第69页 |
| ·环境气体对纳米锥生长速率的影响 | 第69-71页 |
| ·锥角的控制 | 第71-73页 |
| ·硅纳米锥生长动力学 | 第73-77页 |
| ·径向生长 | 第73-76页 |
| ·轴向生长 | 第76-77页 |
| ·硅纳米锥截面形貌转变 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第四章 硅纳米线阵列的场发射性质研究 | 第80-97页 |
| ·实验设计与过程 | 第80-88页 |
| ·化学腐蚀发制备硅线阵列 | 第80-84页 |
| ·硅线阵列上碳化硅纳米线的制备 | 第84-87页 |
| ·场发射的测量 | 第87-88页 |
| ·碳化硅覆盖前后的硅线阵列的场发射性能研究 | 第88-96页 |
| ·氧化镍催化剂浓度 | 第89-91页 |
| ·碳化硅长度 | 第91-92页 |
| ·不同衬底 | 第92-95页 |
| ·场发射稳定性测试 | 第95-96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 第五章 总结 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-114页 |
| 附录Ⅰ.博士研究期间发表的论文 | 第114-116页 |
| 附录Ⅱ.致谢 | 第116页 |
