| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 NiO的性质 | 第9-10页 |
| 1.2.1 NiO的结构 | 第9页 |
| 1.2.2 NiO的电学特性 | 第9-10页 |
| 1.2.3 NiO的气敏性质 | 第10页 |
| 1.2.4 NiO的电致变色性能 | 第10页 |
| 1.3 NiO薄膜的主要应用 | 第10-12页 |
| 1.3.1 紫外探测 | 第10页 |
| 1.3.2 电致变色 | 第10-11页 |
| 1.3.3 气敏传感器 | 第11页 |
| 1.3.4 阻变存储器 | 第11页 |
| 1.3.5 超级电容 | 第11-12页 |
| 1.4 NiO材料和器件国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容和研究意义 | 第14-16页 |
| 1.5.1 主要研究内容 | 第14-15页 |
| 1.5.2 研究意义 | 第15-16页 |
| 第二章 第一性原理和薄膜生长理论及方法 | 第16-20页 |
| 2.1 第一性原理 | 第16页 |
| 2.2 薄膜生长理论 | 第16页 |
| 2.3 薄膜的主要制备方法 | 第16-20页 |
| 2.3.1 磁控溅射法 | 第17页 |
| 2.3.2 电化学沉积法 | 第17页 |
| 2.3.3 溶胶凝胶法 | 第17-18页 |
| 2.3.4 脉冲激光沉积法 | 第18页 |
| 2.3.5 热蒸发法 | 第18页 |
| 2.3.6 喷雾热解法 | 第18页 |
| 2.3.7 原子层外延生长法 | 第18页 |
| 2.3.8 分子束外延法 | 第18页 |
| 2.3.9 化学气相沉积法 | 第18-20页 |
| 第三章 磁控溅射制备NiO薄膜及NiO薄膜物理性质的模拟和实验对比研究 | 第20-32页 |
| 3.1 NiO薄膜性质的模拟研究 | 第20-26页 |
| 3.1.1 模拟软件的选择和功能介绍 | 第20-21页 |
| 3.1.2 NiO薄膜的模拟过程和结果分析 | 第21-26页 |
| 3.2 磁控溅射制备NiO薄膜 | 第26-29页 |
| 3.2.1 实验设备 | 第26-27页 |
| 3.2.2 衬底的准备和清洗 | 第27页 |
| 3.2.3 溅射靶材的选择 | 第27-28页 |
| 3.2.4 具体制备工艺 | 第28-29页 |
| 3.3 磁控溅射NiO薄膜性质及其与模拟结果的对比分析 | 第29-32页 |
| 3.3.1 结构特性对比 | 第29页 |
| 3.3.2 光学特性对比 | 第29-30页 |
| 3.3.3 NiO带隙的比较 | 第30-32页 |
| 第四章 不同工艺条件对NiO薄膜物理性质影响的研究 | 第32-42页 |
| 4.1 溅射功率对NiO薄膜性质的影响 | 第32-37页 |
| 4.1.1 溅射功率对结构特性的影响 | 第32-33页 |
| 4.1.2 溅射功率对光学吸收和透过特性影响 | 第33-34页 |
| 4.1.3 溅射功率对光学带隙的影响 | 第34-35页 |
| 4.1.4 溅射功率对形貌的影响 | 第35-36页 |
| 4.1.5 溅射功率对薄膜生长速率的影响 | 第36页 |
| 4.1.6 溅射功率对薄膜电学特性的影响 | 第36-37页 |
| 4.2 溅射气体比例对NiO薄膜性质的影响 | 第37-42页 |
| 4.2.1 溅射气体比例对结构特性的影响 | 第37页 |
| 4.2.2 溅射气体比例对光学吸收和透过特性影响 | 第37-38页 |
| 4.2.3 溅射气体比例对光学带隙影响 | 第38页 |
| 4.2.4 溅射气体比例对形貌的影响 | 第38-39页 |
| 4.2.5 溅射气体比例对薄膜生长速率的影响 | 第39页 |
| 4.2.6 溅射气体比例对薄膜电学特性的影响 | 第39-42页 |
| 第五章 存储环境因素对NiO薄膜性质稳定性研究 | 第42-48页 |
| 5.1 不同存储气氛环境对NiO薄膜稳定性的影响 | 第42-43页 |
| 5.2 稳定性机理的研究 | 第43-48页 |
| 第六章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 6.1 结论 | 第48页 |
| 6.2 创新点 | 第48-49页 |
| 6.3 展望 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 在学期间主要学术成果 | 第54页 |
