| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第10-14页 |
| 1.1.1 空间辐射环境概述 | 第10-12页 |
| 1.1.2 单粒子效应概述 | 第12-14页 |
| 1.2 抗辐射加固方法概述 | 第14-17页 |
| 1.2.1 器件级加固方法 | 第14-16页 |
| 1.2.2 电路结构级加固方法 | 第16-17页 |
| 1.3 本论文的设计目标 | 第17-18页 |
| 1.4 本论文开展的工作环境 | 第18页 |
| 1.5 本论文的主要工作及内容安排 | 第18-19页 |
| 第二章 单粒子效应研究 | 第19-33页 |
| 2.1 单粒子效应形成机理 | 第19-22页 |
| 2.1.1 线性能量转移 | 第19-20页 |
| 2.1.2 电荷淀积与瞬态电流脉冲 | 第20-22页 |
| 2.2 单粒子效应对数字电路的影响 | 第22-26页 |
| 2.2.1 单粒子效应对组合电路的影响 | 第23-24页 |
| 2.2.2 单粒子效应对存储单元的影响 | 第24-26页 |
| 2.3 单粒子效应测试方法研究 | 第26-32页 |
| 2.3.1 器件级的单粒子效应仿真 | 第26-30页 |
| 2.3.2 电路级的单粒子效应仿真 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 抗辐射存储单元研究 | 第33-48页 |
| 3.1 传统存储单元分析 | 第33-36页 |
| 3.1.1 传统存储单元原理概述 | 第33-35页 |
| 3.1.2 传统存储单元的抗单粒子辐射性能分析 | 第35-36页 |
| 3.2 基于DICE结构的存储单元分析与研究 | 第36-40页 |
| 3.2.1 DICE结构原理概述 | 第36-37页 |
| 3.2.2 DICE结构单元的抗单粒子辐射性能分析 | 第37页 |
| 3.2.3 基于DICE结构存储单元的抗辐射性能优化 | 第37-40页 |
| 3.3 存储单元的抗单粒子辐射仿真分析 | 第40-46页 |
| 3.3.1 传统6管SRAM单元抗辐射性能仿真 | 第40-44页 |
| 3.3.2 DICE结构单元抗辐射性能仿真 | 第44-45页 |
| 3.3.3 仿真结果对比分析 | 第45-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 抗辐射移位寄存器的设计实现 | 第48-64页 |
| 4.1 抗辐射移位寄存器设计概述 | 第48-50页 |
| 4.1.1 移位寄存器原理概述 | 第48页 |
| 4.1.2 抗辐射移位寄存器设计流程 | 第48-50页 |
| 4.2 基于DICE结构的抗辐射移位寄存器电路原理图设计 | 第50-57页 |
| 4.2.1 基于DICE结构的DFF模块设计 | 第50-55页 |
| 4.2.2 基于DICE结构的1024位寄存器的原理图设计 | 第55-57页 |
| 4.3 基于DICE结构的抗辐射移位寄存器版图设计 | 第57-61页 |
| 4.4 移位寄存器的测试 | 第61-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 单粒子效应测试系统设计 | 第64-69页 |
| 5.1 单粒子效应的测试方法及原理 | 第64-65页 |
| 5.2 单粒子效应测试系统的设计 | 第65-68页 |
| 5.2.1 测试系统硬件电路 | 第65-67页 |
| 5.2.2 测试系统软件系统 | 第67-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 总结 | 第69-70页 |
| 6.2 展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第75-76页 |
