| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 选题背景 | 第9页 |
| 1.2 空间原子氧环境 | 第9-13页 |
| 1.2.1 AO的产生 | 第10-11页 |
| 1.2.2 原子氧对聚合物材料产生的危害 | 第11-13页 |
| 1.3 聚酰亚胺概述 | 第13-14页 |
| 1.3.1 聚酰亚胺的性能特征 | 第13-14页 |
| 1.3.2 原子氧对聚酰亚胺的侵蚀 | 第14页 |
| 1.4 防原子氧侵蚀技术 | 第14-19页 |
| 1.4.1 整体改性新材料 | 第14-15页 |
| 1.4.2 表面防护涂层 | 第15-17页 |
| 1.4.3 有机无机复合涂层技术 | 第17-18页 |
| 1.4.4 光活化硅烷化工艺 | 第18-19页 |
| 1.5 研究目的与内容 | 第19-20页 |
| 第2章 实验材料及方法 | 第20-25页 |
| 2.1 实验材料 | 第20-22页 |
| 2.1.1 基体材料 | 第20页 |
| 2.1.2 制备所用化学试剂 | 第20-21页 |
| 2.1.3 光活化硅烷化工艺流程 | 第21-22页 |
| 2.2 实验设备与参数 | 第22-25页 |
| 2.2.1 光活化设备 | 第22-23页 |
| 2.2.2 硅烷化设备 | 第23页 |
| 2.2.3 表面接触角测试 | 第23-24页 |
| 2.2.4 光学性能测试 | 第24页 |
| 2.2.5 OLS3000激光共聚焦显微镜 | 第24页 |
| 2.2.6 X射线光电子能谱分析仪 | 第24-25页 |
| 第3章 不同环境参数下PI改性层的性能与结构 | 第25-40页 |
| 3.1 光活化过程原理及表征 | 第25-27页 |
| 3.1.1 光活化过程及原理 | 第25-26页 |
| 3.1.2 光活化效果表征 | 第26-27页 |
| 3.2 改性PI膜的制备 | 第27-28页 |
| 3.3 改性PI膜的光学性能 | 第28-31页 |
| 3.4 改性PI膜的表面质量 | 第31-35页 |
| 3.4.1 改性层PI膜的表面形貌 | 第31-34页 |
| 3.4.2 改性层界面结合强度 | 第34-35页 |
| 3.5 PI膜改性层深度及元素分布规律 | 第35-39页 |
| 3.5.1 PI膜改性层深度 | 第35-37页 |
| 3.5.2 PI膜改性层元素分布规律 | 第37-39页 |
| 3.6 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 不同环境参数PI膜改性机理分析 | 第40-68页 |
| 4.1 原始聚酰亚胺的XPS分析 | 第40-41页 |
| 4.2 65℃~5%RH环境参数下改性PI膜的XPS分析 | 第41-49页 |
| 4.2.1 各元素相对百分含量沿深度分布规律 | 第41-42页 |
| 4.2.2 C元素化学态分析 | 第42-44页 |
| 4.2.3 Si元素化学态分析 | 第44-46页 |
| 4.2.4 O元素化学态分析 | 第46-48页 |
| 4.2.5 N元素化学态分析 | 第48-49页 |
| 4.3 65℃~25%RH环境参数下改性PI膜的XPS分析 | 第49-56页 |
| 4.3.1 各元素相对百分含量沿深度分布规律 | 第49-51页 |
| 4.3.2 C元素化学态分析 | 第51-52页 |
| 4.3.3 Si元素化学态分析 | 第52-54页 |
| 4.3.4 O元素化学态分析 | 第54-55页 |
| 4.3.5 N元素化学态分析 | 第55-56页 |
| 4.4 75℃~5%RH环境参数下改性PI膜的XPS分析 | 第56-61页 |
| 4.4.1 各元素相对百分含量沿深度分布规律 | 第56-57页 |
| 4.4.2 C元素化学态分析 | 第57-58页 |
| 4.4.3 Si元素化学态分析 | 第58-59页 |
| 4.4.4 O元素化学态分析 | 第59-60页 |
| 4.4.5 N元素化学态分析 | 第60-61页 |
| 4.5 75℃~25%RH环境参数下改性PI膜的XPS分析 | 第61-65页 |
| 4.5.1 各元素相对百分含量沿深度分布规律 | 第61页 |
| 4.5.2 C元素化学态分析 | 第61-62页 |
| 4.5.3 Si元素化学态分析 | 第62-63页 |
| 4.5.4 O元素化学态分析 | 第63-64页 |
| 4.5.5 N元素化学态分析 | 第64-65页 |
| 4.6 改性反应机理讨论 | 第65-67页 |
| 4.7 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
