| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 位移损伤研究历程 | 第9-11页 |
| 1.3 位移缺陷的研究 | 第11-16页 |
| 1.3.1 空位复合缺陷的研究 | 第13-14页 |
| 1.3.2 间隙原子复合缺陷的研究 | 第14-16页 |
| 1.4 位移等效性的研究 | 第16-19页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 试验器件和分析方法 | 第21-26页 |
| 2.1 试验器件 | 第21-22页 |
| 2.2 辐照测试方法 | 第22页 |
| 2.3 电性能测试方法 | 第22-25页 |
| 2.3.1 电流增益分析方法 | 第23-24页 |
| 2.3.2 过剩基极电流和过剩集电极电流的分析方法 | 第24-25页 |
| 2.4 深能级瞬态谱分析方法 | 第25-26页 |
| 第3章 双极晶体管电性能演化规律 | 第26-40页 |
| 3.1 不同结构双极晶体管的电流增益变化规律 | 第26-30页 |
| 3.1.1 NPN双极晶体管电流增益变化规律 | 第26-27页 |
| 3.1.2 PNP双极晶体管电流增益变化规律 | 第27-28页 |
| 3.1.3 GLPNP双极晶体管的电流增益变化规律 | 第28-29页 |
| 3.1.4 GSPNP双极晶体管的电流增益变化规律 | 第29-30页 |
| 3.2 过剩基极电流和过剩集电极电流 | 第30-38页 |
| 3.2.1 NPN双极晶体管过剩基极电流和过剩集电极电流 | 第30-33页 |
| 3.2.2 PNP双极晶体管过剩基极电流和过剩集电极电流 | 第33-35页 |
| 3.2.3 GLPNP双极晶体管过剩基极电流和过剩集电极电流 | 第35-37页 |
| 3.2.4 GSPNP双极晶体管过剩基极电流和过剩集电极电流 | 第37-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 双极晶体管位移缺陷演化规律 | 第40-50页 |
| 4.1 NPN双极晶体管位移缺陷演化规律 | 第40-42页 |
| 4.2 PNP双极晶体管位移缺陷演化规律 | 第42-46页 |
| 4.3 GLPNP双极晶体管位移缺陷演化规律 | 第46-48页 |
| 4.4 GSPNP双极晶体管位移缺陷演化规律 | 第48-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 不同结构双极晶体管位移等效性研究 | 第50-61页 |
| 5.1 NPN双极晶体管位移等效性研究 | 第50-53页 |
| 5.1.1 单位注量的吸收剂量计算 | 第50-52页 |
| 5.1.2 NPN晶体管位移等效性研究 | 第52-53页 |
| 5.2 PNP双极晶体位移等效性研究 | 第53-55页 |
| 5.2.1 单位注量的吸收剂量计算 | 第53-54页 |
| 5.2.2 PNP晶体管位移等效性研究 | 第54-55页 |
| 5.3 GLPNP双极晶体管位移等效性研究 | 第55-58页 |
| 5.3.1 单位注量的吸收剂量计算 | 第55-57页 |
| 5.3.2 GLPNP晶体管位移等效性研究 | 第57-58页 |
| 5.4 GSPNP双极晶体管位移等效性研究 | 第58-60页 |
| 5.4.1 单位注量的吸收剂量的计算 | 第58-59页 |
| 5.4.2 GSPNP晶体管位移等效性研究 | 第59-60页 |
| 5.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
