| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 国内外半导体气敏材料研究现状 | 第14页 |
| 1.2 半导体气敏材料的分类 | 第14-15页 |
| 1.2.1 半导体电阻式气敏材料 | 第15页 |
| 1.2.2 半导体结型气敏材料 | 第15页 |
| 1.3 气敏材料的制备 | 第15-16页 |
| 1.4 多孔硅材料概述 | 第16-18页 |
| 1.4.1 多孔硅作为牺牲层 | 第16-17页 |
| 1.4.2 多孔硅在光领域的应用 | 第17-18页 |
| 1.5 本论文主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 多孔硅的制备 | 第20-29页 |
| 2.1 多孔硅形成机制 | 第20-22页 |
| 2.1.1 Beale模型 | 第20页 |
| 2.1.2 扩散限制模型 | 第20-21页 |
| 2.1.3 量子模型 | 第21-22页 |
| 2.2 多孔硅制备方法 | 第22-23页 |
| 2.2.1 单槽电化学腐蚀 | 第22页 |
| 2.2.2 化学腐蚀染色法 | 第22页 |
| 2.2.3 双槽电化学腐蚀法 | 第22-23页 |
| 2.3 纳米多孔硅的制备 | 第23-27页 |
| 2.3.1 实验前的准备 | 第23-24页 |
| 2.3.2 预处理阶段 | 第24页 |
| 2.3.3 纳米多孔硅制备 | 第24-25页 |
| 2.3.4 多孔硅的孔隙率和厚度 | 第25-27页 |
| 2.4 腐蚀条件对多孔硅孔隙率的影响 | 第27-28页 |
| 2.5 总结 | 第28-29页 |
| 第三章 多孔硅的表征分析 | 第29-37页 |
| 3.1 气敏材料表征技术 | 第29页 |
| 3.2 电阻率1-10Ω·cm的硅片上多孔硅的形貌表征分析 | 第29-31页 |
| 3.2.1 电流密度对多孔硅外貌形成的影响 | 第30-31页 |
| 3.2.2 腐蚀液体积比对多孔硅外貌形成的影响 | 第31页 |
| 3.3 电阻率0.001-0.0016Ω·cm硅片上纳米多孔硅的形貌分析 | 第31-33页 |
| 3.3.1 电流密度对多孔硅外貌形成的影响 | 第32页 |
| 3.3.2 腐蚀液体积对多孔硅外貌形成的影响 | 第32-33页 |
| 3.4 电阻率0.01-0.02Ω·cm的硅片上多孔硅的形貌表征分析 | 第33-35页 |
| 3.4.1 电流密度对多孔硅外貌形成的影响 | 第34页 |
| 3.4.2 多孔硅AFM形貌分析 | 第34-35页 |
| 3.5 制备纳米多孔硅的不同电阻率硅片间的横向分析 | 第35页 |
| 3.6 小结 | 第35-37页 |
| 第四章 多孔硅气敏特性分析 | 第37-49页 |
| 4.1 多孔硅吸附气体的机理 | 第37-40页 |
| 4.1.1 物理吸附 | 第38-39页 |
| 4.1.2 化学吸附 | 第39-40页 |
| 4.2 多孔硅气敏材料工作时的电阻变化 | 第40-41页 |
| 4.3 多孔硅气敏特性分析 | 第41-47页 |
| 4.3.1 乙醇气体吸气机理 | 第41页 |
| 4.3.2 饱和蒸汽压 | 第41-44页 |
| 4.3.3 多孔硅气敏性检测试验 | 第44-45页 |
| 4.3.4 多孔硅的灵敏度 | 第45-47页 |
| 4.4 表面形貌角度分析灵敏度 | 第47页 |
| 4.5 本章总结 | 第47-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 总结 | 第49页 |
| 5.2 展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第54页 |
