| 摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第8-10页 |
| 1.3 论文的主要研究工作及内容安排 | 第10-12页 |
| 第二章 辐射环境与基本辐射效应 | 第12-19页 |
| 2.1 辐射环境 | 第12-15页 |
| 2.1.1 空间辐射环境 | 第12-14页 |
| 2.1.2 人造辐射环境 | 第14-15页 |
| 2.2 粒子与半导体材料的相互作用 | 第15-16页 |
| 2.2.1 光子与物质的相互作用 | 第15页 |
| 2.2.2 带电粒子与物质的相互作用 | 第15-16页 |
| 2.2.3 中子与物质的相互作用 | 第16页 |
| 2.3 基本辐射效应 | 第16-18页 |
| 2.3.1 电离损伤效应 | 第16页 |
| 2.3.2 单粒子效应 | 第16-17页 |
| 2.3.3 位移损伤效应 | 第17-18页 |
| 2.4 小结 | 第18-19页 |
| 第三章 双极晶体管器件物理与辐照实验方案 | 第19-22页 |
| 3.1 器件结构 | 第19-20页 |
| 3.2 双极晶体管辐照实验方案 | 第20-21页 |
| 3.2.1 国产双极晶体管实验样品 | 第20页 |
| 3.2.2 双极晶体管辐照实验方案 | 第20-21页 |
| 3.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第四章 不同偏置条件下国产双极晶体管的辐射效应 | 第22-42页 |
| 4.1 不同偏置条件下国产PNP双极晶体管3CG110和3CG111的辐射效应 | 第22-28页 |
| 4.2 不同偏置条件下国产NPN双极晶体管3DG110和3DG111的辐射效应 | 第28-34页 |
| 4.3 双极晶体管总剂量辐射损伤机理 | 第34-40页 |
| 4.3.1 电离辐射缺陷 | 第34-37页 |
| 4.3.2 电流增益退化机制 | 第37页 |
| 4.3.3 国产NPN和PNP晶体管基极电流退化机理差异 | 第37-38页 |
| 4.3.4 偏置对国产PNP双极晶体管辐射效应的影响 | 第38-40页 |
| 4.3.5 偏置对国产NPN双极晶体管辐射效应的影响 | 第40页 |
| 4.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第五章 不同剂量率下国产双极晶体管的总剂量辐射效应 | 第42-48页 |
| 5.1 不同剂量率下国产PNP双极晶体管辐射效应 | 第42-43页 |
| 5.2 不同剂量率下国产NPN双极晶体管辐射效应 | 第43-44页 |
| 5.3 国产双极晶体管低剂量率损伤增强效应 | 第44-47页 |
| 5.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第六章 极低剂量率下国产双极晶体管辐射效应 | 第48-53页 |
| 6.1 极低剂量率下国产PNP双极晶体管的辐射效应 | 第48-50页 |
| 6.2 极低剂量率下国产NPN双极晶体管的辐射效应 | 第50-52页 |
| 6.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第七章 结论与展望 | 第53-56页 |
| 7.1 结论 | 第53-54页 |
| 7.2 研究展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 附录 | 第61-62页 |
