| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 SiC 的性能特点及其应用 | 第10-13页 |
| 1.1.1 SiC 简介 | 第10页 |
| 1.1.2 单晶 SiC 的性能特点及其应用 | 第10-11页 |
| 1.1.3 SiC 陶瓷的性能特点及其应用 | 第11-13页 |
| 1.2 SiC 加工技术的国内外研究现状 | 第13-16页 |
| 1.2.1 单晶 SiC 材料的加工研究 | 第14-15页 |
| 1.2.2 陶瓷 SiC 材料的加工研究 | 第15-16页 |
| 1.3 单颗磨粒磨削方法在磨削机理研究中的应用 | 第16-18页 |
| 1.4 课题的研究思路和基本构成 | 第18-20页 |
| 1.4.1 课题的研究思路 | 第18页 |
| 1.4.2 论文的主要组成 | 第18-20页 |
| 第2章 实验方案及研究方法 | 第20-26页 |
| 2.1 单颗磨粒划擦 SiC 实验 | 第20-25页 |
| 2.1.1 实验系统 | 第20-24页 |
| 2.1.2 实验内容 | 第24-25页 |
| 2.2 测试分析方法 | 第25-26页 |
| 2.2.1 磨削力信号的采集分析 | 第25页 |
| 2.2.2 加工过程的声发射信号 | 第25页 |
| 2.2.3 工件表面划痕形貌的观察 | 第25-26页 |
| 第3章 单颗磨粒划擦的理论模型 | 第26-30页 |
| 3.1 单颗磨粒划擦的运动过程 | 第26页 |
| 3.2 单颗磨粒划擦理论接触弧长及划痕长度 | 第26-27页 |
| 3.3 理论沟槽侧面积 | 第27-28页 |
| 3.4 理论材料去除体积 | 第28-29页 |
| 3.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第4章 单颗磨粒划擦力变化特征 | 第30-42页 |
| 4.1 单颗磨粒划擦弧区内划擦力理论分析 | 第30-31页 |
| 4.2 单道划痕力变化特征分析 | 第31-32页 |
| 4.3 单颗磨粒划擦 SiC 陶瓷的划擦力分析 | 第32-35页 |
| 4.3.1 砂轮线速度对划擦力的影响 | 第32-33页 |
| 4.3.2 切削深度对划擦力的影响 | 第33页 |
| 4.3.3 工作台移动速度对划擦力的影响 | 第33-34页 |
| 4.3.4 划擦 SiC 陶瓷的划擦力比变化 | 第34-35页 |
| 4.4 单颗磨粒划擦单晶 SiC 的划擦力分析 | 第35-38页 |
| 4.4.1 砂轮线速度对划擦力的影响 | 第35-36页 |
| 4.4.2 切削深度对划擦力的影响 | 第36页 |
| 4.4.3 工作台移动速度对划擦力的影响 | 第36-37页 |
| 4.4.4 划擦单晶 SiC 的划擦力比变化 | 第37-38页 |
| 4.5 两种工件材料划擦力的对比 | 第38-40页 |
| 4.6 本章小结 | 第40-42页 |
| 第5章 单颗磨粒划擦的声发射信号特征 | 第42-54页 |
| 5.1 经典声发射信号处理方法 | 第42-43页 |
| 5.2 单颗磨粒划擦过程中的典型声发射信号特征 | 第43-44页 |
| 5.3 单颗磨粒划擦 SiC 陶瓷的声发射信号特征参数分析 | 第44-48页 |
| 5.3.1 砂轮线速度对划擦 SiC 陶瓷声发射信号特征参数的影响 | 第44-45页 |
| 5.3.2 切削深度对划擦 SiC 陶瓷声发射信号特征参数的影响 | 第45-46页 |
| 5.3.3 工作台移动速度对划擦 SiC 陶瓷声发射信号特征参数的影响 | 第46-48页 |
| 5.4 单颗磨粒划擦单晶 SiC 的声发射信号特征参数分析 | 第48-52页 |
| 5.4.1 砂轮线速度对划擦单晶 SiC 声发射信号特征参数的影响 | 第48-49页 |
| 5.4.2 切削深度对划擦单晶 SiC 声发射信号特征参数的影响 | 第49-50页 |
| 5.4.3 工作台移动速度对划擦单晶 SiC 声发射信号特征参数的影响 | 第50-52页 |
| 5.5 两种工件材料声发射信号对比 | 第52页 |
| 5.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第6章 SiC 工件表面划痕特征研究 | 第54-66页 |
| 6.1 划痕长度和材料去除体积的理论计算 | 第54-55页 |
| 6.1.1 划痕理论长度的计算 | 第54页 |
| 6.1.2 划痕理论材料去除体积的计算 | 第54-55页 |
| 6.2 典型单道划痕表面形貌特征分析 | 第55-57页 |
| 6.3 单颗磨粒划擦 SiC 陶瓷的划痕特征分析 | 第57-59页 |
| 6.3.1 砂轮线速度对划痕的影响 | 第57-58页 |
| 6.3.2 切削深度对划痕的影响 | 第58-59页 |
| 6.3.3 工作台移动速度对划痕的影响 | 第59页 |
| 6.4 单颗磨粒划擦单晶 SiC 的划痕特征分析 | 第59-61页 |
| 6.4.1 砂轮线速度对划痕的影响 | 第59-60页 |
| 6.4.2 切削深度对划痕的影响 | 第60-61页 |
| 6.4.3 工作台移动速度对划痕的影响 | 第61页 |
| 6.5 两种工件材料划痕特征对比 | 第61-64页 |
| 6.6 本章小结 | 第64-66页 |
| 第7章 SiC 陶瓷和单晶 SiC 的材料去除机理分析 | 第66-70页 |
| 第8章 结论与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文和研究成果 | 第78页 |
