超低压抗辐射SRAM设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 低功耗技术的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.2 存储器加固技术的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 论文的主要工作及结构 | 第13-15页 |
| 第2章 亚阈值抗辐射SRAM单元设计 | 第15-32页 |
| 2.1 亚阈值工作特点 | 第15-24页 |
| 2.1.1 MOS管的亚阈值特性 | 第15-18页 |
| 2.1.2 逻辑电路的亚阈值特性 | 第18-21页 |
| 2.1.3 亚阈值存储器的设计方法 | 第21-24页 |
| 2.2 存储单元的抗辐射特性的研究 | 第24-27页 |
| 2.2.1 存储单元单粒子翻转机理 | 第24-25页 |
| 2.2.2 单粒子翻转效应的加固 | 第25-27页 |
| 2.3 存储单元设计 | 第27-31页 |
| 2.3.1 存储单元工作原理 | 第27-28页 |
| 2.3.2 存储单元的稳定性 | 第28-29页 |
| 2.3.3 亚阈值抗辐射存储单元电路设计 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 亚阈值抗辐射SRAM设计 | 第32-42页 |
| 3.1 SRAM整体结构 | 第32-33页 |
| 3.2 存储阵列设计 | 第33-34页 |
| 3.3 外围电路设计 | 第34-40页 |
| 3.3.1 地址译码电路设计 | 第34-36页 |
| 3.3.2 灵敏放大器设计 | 第36-38页 |
| 3.3.3 控制电路设计 | 第38-39页 |
| 3.3.4 数据输入输出电路设计 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 SRAM仿真验证及版图设计 | 第42-53页 |
| 4.1 存储单元的仿真 | 第42-45页 |
| 4.1.1 存储单元的性能仿真 | 第42-43页 |
| 4.1.2 存储单元的功能仿真 | 第43-45页 |
| 4.2 SRAM整体功能仿真 | 第45-48页 |
| 4.2.1 SRAM读操作仿真 | 第46-47页 |
| 4.2.2 SRAM写操作仿真 | 第47页 |
| 4.2.3 SRAM整体读写仿真 | 第47-48页 |
| 4.3 SRAM性能测试 | 第48页 |
| 4.4 版图设计与验证 | 第48-51页 |
| 4.4.1 基本模块的版图设计 | 第49-50页 |
| 4.4.2 整体版图设计 | 第50-51页 |
| 4.4.3 版图验证 | 第51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
