| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 纳米半导体材料 | 第8-10页 |
| 1.2.1 纳米半导体材料概述 | 第8页 |
| 1.2.2 纳米半导体材料特性 | 第8-9页 |
| 1.2.3 纳米半导体异质结构 | 第9-10页 |
| 1.3 纳米半导体材料制备技术 | 第10-11页 |
| 1.3.1 气相生长纳米结构 | 第10-11页 |
| 1.3.2 液相生长纳米结构 | 第11页 |
| 1.4 GaN与InN及其核壳异质结构纳米线 | 第11-14页 |
| 1.4.1 GaN与InN的性质 | 第11-12页 |
| 1.4.2 GaN与InN材料的制备方法 | 第12页 |
| 1.4.3 核壳纳米线的制备及应用 | 第12-14页 |
| 1.4.4 核壳界面应变和量子限制效应 | 第14页 |
| 1.5 本文选题依据及主要研究内容 | 第14-16页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第14-15页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第15-16页 |
| 2 GaN/InN核壳纳米线的制备及表征 | 第16-38页 |
| 2.1 实验原料及实验仪器 | 第16-20页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第16页 |
| 2.1.2 实验设备及表征仪器 | 第16-20页 |
| 2.2 衬底的处理 | 第20-22页 |
| 2.2.1 Si衬底的清洗 | 第21页 |
| 2.2.2 催化剂颗粒的形成 | 第21-22页 |
| 2.3 GaN纳米线的生长 | 第22-25页 |
| 2.3.1 实验过程及样品表征 | 第22-24页 |
| 2.3.2 GaN纳米线的生长机理 | 第24-25页 |
| 2.4 GaN/InN核壳纳米线的制备 | 第25-36页 |
| 2.4.1 实验方案 | 第25页 |
| 2.4.2 实验过程及样品表征 | 第25-35页 |
| 2.4.3 GaN/InN核壳纳米线的生长机理 | 第35-36页 |
| 2.5 GaN/InN核壳纳米线的光致发光特性 | 第36-37页 |
| 2.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 3 GaN/InN核壳纳米线的理论研究 | 第38-60页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 计算方法 | 第38-43页 |
| 3.2.1 第一性原理 | 第38-39页 |
| 3.2.2 密度泛函理论 | 第39-41页 |
| 3.2.3 MaterialsStudio及VASP简介 | 第41页 |
| 3.2.4 软件设置参数 | 第41-42页 |
| 3.2.5 GaN/InN核壳纳米线模型构建 | 第42-43页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第43-57页 |
| 3.3.1 吸附能 | 第43-44页 |
| 3.3.2 能带与态密度 | 第44-48页 |
| 3.3.3 差分电荷密度 | 第48-49页 |
| 3.3.4 功函数 | 第49页 |
| 3.3.5 光学性质 | 第49-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-60页 |
| 4 结论与展望 | 第60-62页 |
| 4.1 本文的主要结论 | 第60-61页 |
| 4.2 展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 附录 | 第68页 |