| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第10-13页 |
| 1.2.1 3C-SiC外延层生长研究进展 | 第10-11页 |
| 1.2.2 3C-SiC纳米线生长研究进展 | 第11-13页 |
| 1.3 本论文主要工作内容 | 第13-15页 |
| 2.3C-SiC生长机理及表征方法 | 第15-21页 |
| 2.1 生长机理 | 第15-17页 |
| 2.1.1 3C-SiC外延层生长机理 | 第15-16页 |
| 2.1.2 3C-SiC纳米线生长机理 | 第16-17页 |
| 2.2 3C-SiC的结构表征方法 | 第17-21页 |
| 2.2.1 X射线衍射（XRD） | 第17-18页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第18页 |
| 2.2.3 拉曼光谱（Raman spectra） | 第18页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱仪（XPS） | 第18页 |
| 2.2.5 综合物性测量（VSM） | 第18-19页 |
| 2.2.6 光致发光光谱（PL） | 第19-21页 |
| 3.3C-SiC生长制备系统与生长工艺 | 第21-27页 |
| 3.1 LPCVD生长设备简介 | 第21-22页 |
| 3.2 3C-SiC外延层和纳米线制备方法及工艺流程 | 第22-27页 |
| 3.2.1 衬底清洗 | 第22-23页 |
| 3.2.2 3C-SiC外延层和纳米线生长 | 第23-27页 |
| 4.不同工艺条件对 3C-SiC外延层的影响 | 第27-45页 |
| 4.1 不同生长温度对 3C-SiC外延层的影响 | 第27-31页 |
| 4.1.1 温度变化下 3C-SiC结晶晶向分析 | 第27-28页 |
| 4.1.2 温度变化对 3C-SiC的表面形貌的影响 | 第28-30页 |
| 4.1.3 温度变化下 3C-SiC结晶质量分析 | 第30-31页 |
| 4.2 不同生长压力对 3C-SiC外延层的影响 | 第31-33页 |
| 4.2.1 压力变化下 3C-SiC结晶晶向分析 | 第31-32页 |
| 4.2.2 压力变化下 3C-SiC表面形貌分析 | 第32-33页 |
| 4.3 不同生长时间对 3C-SiC外延层的影响 | 第33-36页 |
| 4.3.1 时间变化下 3C-SiC结晶晶向分析 | 第33-34页 |
| 4.3.2 时间变化下 3C-SiC表面形貌分析 | 第34-36页 |
| 4.3.3 时间变化下 3C-SiC结晶质量分析 | 第36页 |
| 4.4 不同的源气体流量C/Si比对 3C-SiC外延层的影响 | 第36-45页 |
| 4.4.1 C/Si比变化下 3C-SiC结晶晶向分析 | 第37-38页 |
| 4.4.2 C/Si比变化对 3C-SiC表面形貌的影响 | 第38-40页 |
| 4.4.3 C/Si比变化下 3C-SiC结晶质量分析 | 第40-41页 |
| 4.4.4 C/Si比变化下 3C-SiC磁性分析 | 第41-42页 |
| 4.4.5 C/Si比变化下 3C-SiC元素分析 | 第42-45页 |
| 5.3C-SiC纳米线特性研究 | 第45-49页 |
| 5.1 3C-SiC纳米线结晶晶向分析 | 第45页 |
| 5.2 3C-SiC纳米线表面形貌和截面分析 | 第45-46页 |
| 5.3 3C-SiC纳米线变温磁性分析 | 第46-47页 |
| 5.4 3C-SiC纳米线光致发光分析 | 第47-48页 |
| 5.5 3C-SiC纳米线磁性来源分析 | 第48-49页 |
| 6.结论 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
