| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-14页 |
| 1.2.1 VDMOS功率器件及其材料的发展分析 | 第9-11页 |
| 1.2.2 VDMOS功率器件的市场形势 | 第11-13页 |
| 1.2.3 VDMOS功率器件用硅外延材料的市场形势 | 第13-14页 |
| 1.3 论文的研究内容及目标 | 第14页 |
| 1.4 论文的组织结构 | 第14-16页 |
| 第二章 VDMOS器件的结构与原理 | 第16-32页 |
| 2.1 VDMOS器件模型建立 | 第16页 |
| 2.2 VDMOS的工作原理 | 第16-18页 |
| 2.3 VDMOS器件的主要参数 | 第18-24页 |
| 2.3.1 阈值电压 | 第18页 |
| 2.3.2 漏源电流 | 第18-19页 |
| 2.3.3 漏源击穿电压 | 第19-20页 |
| 2.3.4 导通电阻 | 第20-24页 |
| 2.4 VDMOS器件用硅外延层参数的理论计算 | 第24-26页 |
| 2.5 VDMOS器件用硅外延材料的结构分析 | 第26-30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 VDMOS器件用硅外延层的仿真与分析 | 第32-54页 |
| 3.1 计算机仿真工具简介 | 第32-35页 |
| 3.2 外延层电阻率及其均匀性对器件性能的影响分析 | 第35-37页 |
| 3.3 外延层厚度及其均匀性对器件性能的影响分析 | 第37-41页 |
| 3.4 外延层过渡区对器件性能的影响分析 | 第41-48页 |
| 3.4.1 外延层过渡区的影响因素分析 | 第41-44页 |
| 3.4.1.1 外延生长温度变化对外延层过渡区的影响 | 第41-42页 |
| 3.4.1.2 器件工艺温度变化对外延层过渡区的影响 | 第42-44页 |
| 3.4.2 外延层过渡区对器件性能的影响 | 第44-48页 |
| 3.5 外延层衬底材料对器件性能的影响分析 | 第48-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 150V VDMOS器件用外延材料的设计与验证 | 第54-72页 |
| 4.1 150V VDMOS器件用外延层结构参数设计 | 第54-57页 |
| 4.1.1 外延层电阻率设计 | 第54-55页 |
| 4.1.2 外延层厚度设计 | 第55页 |
| 4.1.3 外延层过渡区设计 | 第55页 |
| 4.1.4 外延衬底设计 | 第55-56页 |
| 4.1.5 外延材料结构的仿真结果 | 第56-57页 |
| 4.2 150V VDMOS器件用外延层的工艺实现与质量控制 | 第57-68页 |
| 4.2.1 150V VDMOS器件用外延层的工艺实现 | 第57-63页 |
| 4.2.1.1 硅外延设备的选择 | 第57-58页 |
| 4.2.1.2 硅外延生长工艺的选择 | 第58-60页 |
| 4.2.1.3 外延掺杂对外延结构设计的影响 | 第60-63页 |
| 4.2.2 150V VDMOS器件用外延层的质量控制 | 第63-68页 |
| 4.2.2.1 外延层厚度的质量控制 | 第63-65页 |
| 4.2.2.2 外延层电阻率的质量控制 | 第65-67页 |
| 4.2.2.3 外延层纵向载流子浓度分布的质量控制 | 第67-68页 |
| 4.3 器件仿真结果 | 第68-70页 |
| 4.3.1 击穿电压 | 第68-69页 |
| 4.3.2 阈值电压 | 第69页 |
| 4.3.3 导通电阻 | 第69-70页 |
| 4.3.4 结果验证 | 第70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 总结 | 第72-74页 |
| 5.1 总结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
