| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 AlGaN/GaN材料体系 | 第10-11页 |
| 1.2.1 GaN材料简介 | 第10-11页 |
| 1.2.2 氮化物合金材料简介 | 第11页 |
| 1.3 GaN器件简介 | 第11-18页 |
| 1.3.1 制备工艺优化 | 第12页 |
| 1.3.2 AlGaN/GaN异质结材料优化 | 第12页 |
| 1.3.3 AlGaN/GaN器件结构优化 | 第12-13页 |
| 1.3.4 GaN器件应用领域 | 第13-14页 |
| 1.3.5 GaN器件研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3.6 GaN产业发展动态 | 第15-18页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 仿真平台Sentaurus简介及应用 | 第20-34页 |
| 2.1 Sentaurus软件简介 | 第21-33页 |
| 2.1.1 Sentaurus Workbench | 第22-23页 |
| 2.1.2 Sentaurus Process | 第23-24页 |
| 2.1.3 Sentaurus Structure Editor | 第24-28页 |
| 2.1.4 Sentaurus Device | 第28-33页 |
| 2.1.4.1 主要物理模型 | 第29-30页 |
| 2.1.4.2 SDE命令文件 | 第30-32页 |
| 2.1.4.3 仿真实验的准则 | 第32-33页 |
| 2.2 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 HEMT器件特性分析 | 第34-42页 |
| 3.1 极化效应 | 第34-35页 |
| 3.1.1 族氮化物 | 第34-35页 |
| 3.1.2 氮化物合金材料的极化强度 | 第35页 |
| 3.2 二维电子气 | 第35-37页 |
| 3.3 HEMT器件工作原理 | 第37-40页 |
| 3.3.1 HEMT器件性能参数 | 第38-39页 |
| 3.3.2 HEMT器件击穿机制 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 栅场板的仿真优化 | 第42-50页 |
| 4.1 器件经典结构 | 第42-43页 |
| 4.2 钝化层研究 | 第43页 |
| 4.3 栅场板的研究 | 第43-48页 |
| 4.3.1 栅场板长度优化 | 第44-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 阶梯AlGaN势垒层的AlGaN/GaN HEMTs器件设计与仿真 | 第50-65页 |
| 5.1 阶梯AlGaN势垒层的器件设计与仿真分析 | 第50-63页 |
| 5.1.1 新结构设计 | 第50-51页 |
| 5.1.2 阶梯高度的影响 | 第51-55页 |
| 5.1.3 阶梯长度的影响 | 第55-59页 |
| 5.1.4 场板技术对新结构的影响 | 第59-63页 |
| 5.2 本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
