| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 碳化硅材料简介 | 第9-10页 |
| 1.2 碳化硅功率整流器的研究进展 | 第10-15页 |
| 1.2.1 碳化硅功率整流器的发展状况 | 第11-14页 |
| 1.2.2 碳化硅功率整流器研究意义 | 第14-15页 |
| 1.3 本论文主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 碳化硅功率整流器耐压理论及仿真模型 | 第17-24页 |
| 2.1 碳化硅功率整流器的物理模型 | 第17-18页 |
| 2.2 仿真平台介绍 | 第18-24页 |
| 2.2.1 仿真软件简介 | 第18-19页 |
| 2.2.2 仿真模型介绍 | 第19-24页 |
| 第三章 碳化硅整流器元胞结构设计 | 第24-42页 |
| 3.1 3.3kV SiC PiN功率整流器的元胞结构设计 | 第24-29页 |
| 3.1.1 p+区厚度TP和浓度ND | 第26-28页 |
| 3.1.2 台面刻蚀深度DE | 第28-29页 |
| 3.2 4.5kV SiC JBS功率整流器的元胞结构设计 | 第29-36页 |
| 3.2.1 p~+环宽W和间距S的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.2 p~+环深度d的影响 | 第33-34页 |
| 3.2.3 p~+浓度NA的影响 | 第34-36页 |
| 3.3 碳化硅功率整流器的正向特性研究 | 第36-37页 |
| 3.4 碳化硅功率整流器的温度特性研究 | 第37-39页 |
| 3.5 碳化硅功率整流器的开关特性研究 | 第39-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 碳化硅功率整流器结终端技术设计 | 第42-62页 |
| 4.1 平面器件曲率效应 | 第42-43页 |
| 4.2 场板技术研究 | 第43-47页 |
| 4.3 场限环技术研究 | 第47-52页 |
| 4.4 多种结终端扩展技术研究 | 第52-60页 |
| 4.4.1 单区JTE技术 | 第53-55页 |
| 4.4.2 双区注入JTE技术 | 第55-57页 |
| 4.4.3 空间电荷调制JTE技术 | 第57-59页 |
| 4.4.4 四种JTE结构的性能对比 | 第59-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 碳化硅功率整流器实验与测试分析 | 第62-73页 |
| 5.1 碳化硅PiN功率整流器版图设计与工艺流程 | 第62-65页 |
| 5.1.1 碳化硅PiN功率整流器流片实验结构图 | 第62-64页 |
| 5.1.2 碳化硅PiN功率整流器版图工艺流程及说明 | 第64-65页 |
| 5.2 碳化硅PiN功率整流器流片实验结果与测试分析 | 第65-69页 |
| 5.2.1 结终端扩展终端结构测试分析 | 第65-66页 |
| 5.2.2 空间电荷调制结终端扩展结构（SM-JTE）测试分析 | 第66-68页 |
| 5.2.3 场限环终端结构测试分析 | 第68页 |
| 5.2.4 碳化硅PiN功率整流器测试小结 | 第68-69页 |
| 5.3 碳化硅JBS功率整流器版图设计与工艺流程 | 第69-70页 |
| 5.3.1 碳化硅JBS功率整流器流片实验结构图 | 第69页 |
| 5.3.2 碳化硅JBS功率整流器版图工艺流程及说明 | 第69-70页 |
| 5.4 碳化硅JBS功率整流器流片实验结果与测试分析 | 第70-72页 |
| 5.4.1 碳化硅JBS功率整流器测试分析 | 第71-72页 |
| 5.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 结论 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第79-80页 |
