Ge沟道肖特基源漏场效应晶体管的制备与特性分析

摘要	第4-6页
Abstract	第6-7页
第一章 绪论	第12-28页
1.1 研究背景与意义	第12-14页
1.2 Ge MOSFET材料与器件研究现状	第14-22页
1.3 本论文主要工作	第22-23页
参考文献	第23-28页
第二章 MOSFET基本原理及仿真	第28-44页
2.1 MOSFET基本原理	第28-29页
2.2 MOSFET性能表征与关键参数提取方法	第29-34页
2.3 SB-MOSFET器件仿真	第34-41页
2.3.1 SB-MOSFET结构设计及仿真模型	第34-37页
2.3.2 SB-MOSFET仿真结果分析	第37-41页
2.4 本章小结	第41-43页
参考文献	第43-44页
第三章 Ge MOSFET的制备与特性分析	第44-57页
3.1 Ge MOSFET制备工艺设计	第44-50页
3.2 Ge MOSFET特性分析	第50-54页
3.3 本章小结	第54-56页
参考文献	第56-57页
第四章 Ge SB-MOSFET的制备与特性分析	第57-71页
4.1 Ge SB-MOSFET制备工艺设计	第57-60页
4.2 Si沟道SB-MOSFET特性分析	第60-63页
4.3 Ge沟道SB-MOSFET特性分析	第63-69页
4.4 本章小结	第69-70页
参考文献	第70-71页
第五章 总结与展望	第71-73页
附录 硕士期间科研成果	第73-74页
致谢	第74页