| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 课题研究的背景与意义 | 第10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.1 国内外DRAM工艺、电路改进研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 国内外温度传感器研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.3 国内外压控振荡器研究现状 | 第12页 |
| 1.3 论文的研究内容及组织结构 | 第12-13页 |
| 1.4 论文章节安排 | 第13页 |
| 1.5 本章小结 | 第13-14页 |
| 第2章 DRAM及传统刷新方案 | 第14-22页 |
| 2.1 DRAM核心存储单元 | 第14-17页 |
| 2.1.1 1T1C DRAM | 第15-16页 |
| 2.1.2 2T DRAM单元 | 第16-17页 |
| 2.2 基于温度监测的传统刷新方案 | 第17-20页 |
| 2.2.1 DDR3刷新方案 | 第17-18页 |
| 2.2.2 冗余“1”单元温度刷新方案 | 第18-20页 |
| 2.3 基于比较器的其他温度刷新方案 | 第20页 |
| 2.4 传统刷新方案的局限性 | 第20-21页 |
| 2.5 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 基于温度的刷新电路分析与设计 | 第22-29页 |
| 3.1 温度监测传感单元 | 第22-23页 |
| 3.2 具有温度特性的刷新电路 | 第23-28页 |
| 3.2.1 基于MOS管阈值电压温度特性的刷新电路 | 第23-25页 |
| 3.2.2 基于三极管温度特性的刷新电路 | 第25-27页 |
| 3.2.3 基于与存储阵列完全相同的MOS管温度特性的刷新电路 | 第27-28页 |
| 3.3 具有温度特性的刷新电路的比较 | 第28页 |
| 3.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第4章 温度监测单元及刷新时钟产生电路研究 | 第29-45页 |
| 4.1 温度监测电路 | 第29-34页 |
| 4.1.1 PTAT单元电路 | 第29-31页 |
| 4.1.2 PTAT监测电路 | 第31-32页 |
| 4.1.3 整体PTAT监测电路 | 第32-34页 |
| 4.2 刷新时钟产生电路 | 第34-44页 |
| 4.2.1 压控振荡器的实现形式 | 第34-35页 |
| 4.2.2 MOS环形振荡器电路结构 | 第35-36页 |
| 4.2.3 时钟产生电路延时单元优化技术 | 第36-41页 |
| 4.2.4 电流饥饿型振荡器单元 | 第41-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 DRAM刷新时钟产生电路设计与仿真 | 第45-54页 |
| 5.1 刷新时钟产生电路及仿真 | 第45-51页 |
| 5.1.1 振荡电路中反相器链级数及其他参数确定 | 第45-47页 |
| 5.1.2 仿真原理图 | 第47-48页 |
| 5.1.3 仿真结果 | 第48-51页 |
| 5.2 仿真结果分析 | 第51-53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 总结与展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻读期间论文发表及专利情况 | 第59页 |