| 论文摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 超声分子束静电STARK减速与囚禁的研究及其最新进展 | 第13-41页 |
| 1.1 引言 | 第13-15页 |
| 1.2 超声分子束的静电Stark减速及其研究进展 | 第15-22页 |
| 1.3 冷分子静电囚禁的研究及其最新进展 | 第22-34页 |
| 1.4 冷分子的应用 | 第34-38页 |
| 1.4.1 高分辨光谱与精密测量 | 第34-36页 |
| 1.4.2 冷碰撞与冷化学 | 第36-37页 |
| 1.4.3 量子计算与量子信息处理 | 第37-38页 |
| 1.5 本文的研究工作 | 第38-41页 |
| 第二章 一种新颖高效的静电STARK减速器方案及其理论研究 | 第41-59页 |
| 2.1 引言 | 第41-42页 |
| 2.2 新颖高效的Stark减速器方案 | 第42-48页 |
| 2.2.1 静电Stark减速的原理 | 第42-44页 |
| 2.2.2 减速器的方案 | 第44-46页 |
| 2.2.3 减速器内的电场分布与纵向深度 | 第46-48页 |
| 2.3 ND_3分子的数值模拟结果 | 第48-50页 |
| 2.4 与传统减速器s=1和s=3模式及travelling-wave减速器的性能对比 | 第50-58页 |
| 2.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第三章 实现重原子极性分子和极小电偶极矩分子的有效减速方案 | 第59-81页 |
| 3.1 引言 | 第59-60页 |
| 3.2 新颖高效减速器方案 | 第60-66页 |
| 3.3 PbF分子的数值模拟结果 | 第66-69页 |
| 3.4 高能分辨率PbF分子束的制备 | 第69-74页 |
| 3.5 实现极小电偶极矩的NO分子的有效减速 | 第74-78页 |
| 3.6 本章小结 | 第78-81页 |
| 第四章 芯片表面静电STARK减速器的理论研究 | 第81-93页 |
| 4.1 引言 | 第81-83页 |
| 4.2 芯片表面Stark减速器方案的设计 | 第83-84页 |
| 4.3 减速器内的横向电场分布与纵向深度 | 第84-87页 |
| 4.4 ND_3分子的数值模拟结果 | 第87-90页 |
| 4.5 参数的影响 | 第90-91页 |
| 4.6 本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 冷分子芯片表面的静电囚禁方案及其理论研究 | 第93-109页 |
| 5.1 引言 | 第93页 |
| 5.2 表面囚禁方案图及其表面电场的公式推导 | 第93-96页 |
| 5.3 理论计算与分析 | 第96-100页 |
| 5.3.1 表面囚禁电场的等高线图分布 | 第96-97页 |
| 5.3.2 参数对囚禁中心高度的影响 | 第97-98页 |
| 5.3.3 参数对有效囚禁势的影响 | 第98-100页 |
| 5.4 ND_3分子的有效装载和数值模拟结果 | 第100-105页 |
| 5.4.1 ND_3分子的有效装载 | 第100-101页 |
| 5.4.2 装载效率和囚禁的速度分布 | 第101-105页 |
| 5.5 其他方案-U型电极静电囚禁 | 第105-107页 |
| 5.6 本章小结 | 第107-109页 |
| 第六章 总结与展望 | 第109-113页 |
| 6.1 本文研究工作总结 | 第109-111页 |
| 6.2 本文的创新之处 | 第111-112页 |
| 6.3 未来工作展望 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-123页 |
| 博士期间发表和待发表论文 | 第123-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
