| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 AlN压电材料简介 | 第12-15页 |
| 1.2.1 AlN的晶体结构和材料特征 | 第12-14页 |
| 1.2.2 AlN的制备方法 | 第14-15页 |
| 1.3 柔性高温镍基合金简介 | 第15-16页 |
| 1.4 国内外研究现状及发展前景 | 第16-17页 |
| 1.5 本文主要研究内容及框架 | 第17-19页 |
| 第二章 中频磁控反应溅射AlN薄膜及其表征方法 | 第19-27页 |
| 2.1 AlN薄膜择优取向生长 | 第19-21页 |
| 2.1.1 AlN薄膜择优取向生长机理 | 第19-20页 |
| 2.1.2 AlN薄膜择优取向生长的影响因素 | 第20-21页 |
| 2.2 中频磁控反应溅射系统 | 第21-23页 |
| 2.2.1 磁控反应溅射基本原理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 中频磁控反应溅射系统及优点 | 第22-23页 |
| 2.3 AlN薄膜的表征 | 第23-27页 |
| 2.3.1 金相显微镜 | 第23-24页 |
| 2.3.2 X射线衍射仪 | 第24-25页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第25页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜和能谱仪 | 第25-26页 |
| 2.3.5 压电响应力显微镜 | 第26-27页 |
| 第三章 柔性高温镍基合金衬底上制备AlN薄膜 | 第27-63页 |
| 3.1 柔性合金衬底上制备AlN薄膜初步研究 | 第27-32页 |
| 3.2 柔性Hastelloy C-276衬底的平坦化 | 第32-35页 |
| 3.3 Y_2O_3/Hastelloy衬底上制备AlN薄膜 | 第35-36页 |
| 3.4 工艺参数对AlN薄膜择优取向的影响 | 第36-55页 |
| 3.4.1 衬底温度的影响 | 第36-40页 |
| 3.4.2 溅射功率的影响 | 第40-43页 |
| 3.4.3 氮气含量的影响 | 第43-46页 |
| 3.4.4 溅射气压的影响 | 第46-49页 |
| 3.4.5 靶基距的影响 | 第49-52页 |
| 3.4.6 最优化工艺下的AlN薄膜 | 第52-55页 |
| 3.5 AlN薄膜压电性能测试 | 第55-57页 |
| 3.6 AlN薄膜生长模型分析 | 第57-61页 |
| 3.7 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 三步法工艺制备AlN薄膜 | 第63-73页 |
| 4.1 AlN薄膜表面晶粒异常 | 第63-65页 |
| 4.2 晶粒异常的影响因素 | 第65-69页 |
| 4.2.1 衬底材质的影响 | 第66页 |
| 4.2.2 溅射功率的影响 | 第66-67页 |
| 4.2.3 衬底温度的影响 | 第67-68页 |
| 4.2.4 N_2含量的影响 | 第68-69页 |
| 4.3 三步法生长工艺 | 第69-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 结论 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-83页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第83-84页 |