| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 选题背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-15页 |
| 1.2.1 压接型IGBT的发展 | 第11-14页 |
| 1.2.2 IGBT模块的封装模型 | 第14-15页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第15-18页 |
| 第2章 IGBT器件的原理与封装 | 第18-26页 |
| 2.1 IGBT的原理 | 第18-19页 |
| 2.2 IGBT封装技术 | 第19-25页 |
| 2.2.1 焊接封装技术(焊接型IGBT模块) | 第20-22页 |
| 2.2.2 压接封装技术(压接型IGBT模块) | 第22-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 压接型IGBT的等效电路模型与寄生参数提取 | 第26-38页 |
| 3.1 ANSYS Q3D Extractor软件 | 第26-29页 |
| 3.2 压接型IGBT模块的等效电路模型 | 第29-34页 |
| 3.2.1 等效电路模型 | 第29-33页 |
| 3.2.2 IGBT芯片和FRD芯片电路模型 | 第33-34页 |
| 3.3 寄生参数的提取 | 第34-37页 |
| 3.3.1 寄生参数提取频率的确定 | 第36页 |
| 3.3.2 寄生参数的提取结果 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小节 | 第37-38页 |
| 第4章 仿真与实验 | 第38-51页 |
| 4.1 压接型IGBT模块内部并联芯片支路的电流分布 | 第38-43页 |
| 4.1.1 双脉冲测试电路及其原理 | 第38-40页 |
| 4.1.2 仿真分析与结果 | 第40-43页 |
| 4.2 实验与测量 | 第43-50页 |
| 4.2.1 实验用压接型IGBT凸台模型的设计 | 第43-45页 |
| 4.2.2 实验回路与接线方式的设计 | 第45-47页 |
| 4.2.3 实验结果与仿真结果 | 第47-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 寄生参数对压接型IGBT模块内部并联芯片支路电流分布特性的影响 | 第51-58页 |
| 5.1 栅极回路寄生参数的影响 | 第51-54页 |
| 5.2 主功率回路寄生参数的影响 | 第54-55页 |
| 5.3 优化与改进措施 | 第55-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第6章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 6.1 结论 | 第58页 |
| 6.2 展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 | 第64-65页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研工作 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
