| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3页 |
| 1 前言 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 集成电路平坦化工艺简介 | 第10-12页 |
| 1.2.1 集成电路工艺发展对平坦化的要求 | 第10-11页 |
| 1.2.2 集成电路工艺常用的平坦化方法 | 第11页 |
| 1.2.3 化学机械研磨的出现 | 第11-12页 |
| 1.3 集成电路化学机械研磨工艺简介 | 第12-16页 |
| 1.3.1 化学机械研磨技术概况 | 第12-13页 |
| 1.3.2 化学机械研磨的种类 | 第13-14页 |
| 1.3.3 化学机械研磨的工艺参数 | 第14-15页 |
| 1.3.4 化学机械研磨的主要耗材 | 第15页 |
| 1.3.5 化学机械研磨对硅片生产成品率的影响 | 第15-16页 |
| 1.4 铜工艺简介 | 第16-19页 |
| 1.4.1 铜制程工艺简介 | 第16-17页 |
| 1.4.2 铜化学机械研磨的特性 | 第17-18页 |
| 1.4.3 铜化学机械研磨后的典型缺陷 | 第18-19页 |
| 1.5 化学机械研磨后的清洗技术简介 | 第19-20页 |
| 1.6 本论文研究背景与意义 | 第20-22页 |
| 1.6.1 铜化学机械研磨的发展和主要步骤 | 第20-21页 |
| 1.6.2 铜化学机械研磨的常见缺陷 | 第21-22页 |
| 1.6.3 改善铜化学机械研磨工艺特性的意义 | 第22页 |
| 1.7 本论文的研究意义 | 第22-23页 |
| 1.8 本论文的章节安排 | 第23-24页 |
| 2 铜化学机械研磨头对腐蚀缺陷的影响分析 | 第24-33页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 腐蚀缺陷原因模式分析 | 第24-25页 |
| 2.3 抛光研磨头清洗器结构与清洗方式 | 第25-27页 |
| 2.3.1 研磨头清洗器的分析 | 第25-26页 |
| 2.3.2 清洗研磨头的步骤 | 第26-27页 |
| 2.4 铜化学机械研磨后的铜表面腐蚀缺陷的产生原因分析 | 第27-28页 |
| 2.5 化学机械研磨头冲洗工艺优化实验设计 | 第28-30页 |
| 2.5.1 实验方法和材料 | 第28-29页 |
| 2.5.2 实验设备 | 第29-30页 |
| 2.5.3 工艺流程的变化说明 | 第30页 |
| 2.6 化学机械研磨头冲洗实验结果分析 | 第30-32页 |
| 2.6.1 研磨头表面的变化 | 第30-31页 |
| 2.6.2 不同冲洗条件的结果 | 第31-32页 |
| 2.7 本章小结 | 第32-33页 |
| 3 铜化学机械研磨后硅片预清洗的工艺特性的影响分析 | 第33-39页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 铜化学机械研磨后硅片预清洗的影响 | 第33-34页 |
| 3.3 铜化学机械研磨后硅片预清洗对表面颗粒污染的影响 | 第34页 |
| 3.4 铜化学机械研磨后硅片预清洗的效果 | 第34-38页 |
| 3.4.1 实验设计 | 第34-36页 |
| 3.4.2 实验设备 | 第36-37页 |
| 3.4.3 实验结果 | 第37-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 4 铜化学机械研磨后硅片边缘清洗效果对成品率的影响分析 | 第39-44页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 清洗装置情况 | 第39-40页 |
| 4.3 化学机械研磨后清洗分析 | 第40页 |
| 4.4 铜化学机械研磨后的清洗改善 | 第40-43页 |
| 4.4.1 实验设计 | 第40-41页 |
| 4.4.2 实验设备 | 第41-42页 |
| 4.4.3 实验结果 | 第42-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 5 结论与展望 | 第44-46页 |
| 5.1 本文总结 | 第44-45页 |
| 5.2 下一步研究计划和研究展望 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第49页 |
