| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 金属化合物的化学键 | 第12页 |
| 1.3 化学键分析中存在的问题 | 第12-13页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 二元金属化合物 | 第15-29页 |
| 2.1 计算过渡族金属化合物的介电常数 | 第15-21页 |
| 2.2 利用LDA+U方法计算导体的Phillips电离度并定量的计算过渡族金属碳化物和氮化物的硬度 | 第21-29页 |
| 第三章 三元金属化合物 | 第29-49页 |
| 3.1 第一原理计算CaPtSe拓扑绝缘体的电子结构 | 第29-39页 |
| 3.2 新型的AB_2C Heusler结构的反铁磁拓扑绝缘体 | 第39-49页 |
| 第四章 多元金属化合物 | 第49-77页 |
| 4.1 合金元素对多组元高熵合金显微结构和性能的影响 | 第49-64页 |
| 4.2 含Al的B2结构高熵合金 | 第64-77页 |
| 第五章 主要结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-91页 |
| 攻博期间发表和待发表的学术论文 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93页 |