| 致谢 | 第5-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 目录 | 第8-9页 |
| 1. 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 有机薄膜场效应晶体管的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 有机薄膜场效应晶体管器件结构和工作原理 | 第10-11页 |
| 1.3 有机薄膜场效应晶体管的基本参数 | 第11-14页 |
| 1.3.1 阈值电压 | 第12-13页 |
| 1.3.2 场效应迁移率 | 第13页 |
| 1.3.3 电流开关比 | 第13页 |
| 1.3.4 亚阈值斜率 | 第13-14页 |
| 1.4 聚合物场效应晶体管的材料 | 第14-19页 |
| 1.4.1 绝缘层材料 | 第14-15页 |
| 1.4.2 聚合物场效应材料 | 第15-18页 |
| 1.4.3 电极材料 | 第18-19页 |
| 1.5 本文工作 | 第19-20页 |
| 2. 聚合物场效应晶体管的制备与测量 | 第20-22页 |
| 2.1 聚合物场效应晶体管的制备 | 第20-21页 |
| 2.1.1 基片的清洗和前期处理 | 第20页 |
| 2.1.2 绝缘层和半导体层溶液的配制 | 第20-21页 |
| 2.1.3 绝缘层和半导体层的制备 | 第21页 |
| 2.1.4 电极的蒸镀 | 第21页 |
| 2.2 聚合物场效应晶体管的测量 | 第21-22页 |
| 3. P3HT/PMMA聚合物场效应晶体管功能层的研究 | 第22-28页 |
| 3.1 P3HT/PMMA场效应晶体管的器件结构 | 第22-23页 |
| 3.2 PMMA绝缘层的制备 | 第23-24页 |
| 3.3 P3HT半导体层的制备及膜间的相溶性问题研究 | 第24-27页 |
| 3.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 4. P3HT/PMMA场效应晶体管电学性能的提高 | 第28-44页 |
| 4.1 基础器件制备及测量 | 第28-30页 |
| 4.2 针对半导体层P3HT前退火、后退火对器件性能的影响 | 第30-34页 |
| 4.2.1 结果与分析 | 第31-34页 |
| 4.3 P3HT的退火温度对器件性能的影响 | 第34-38页 |
| 4.3.1 结果与分析 | 第35-38页 |
| 4.4 源漏电极材料对器件性能的影响 | 第38-42页 |
| 4.4.1 结果与分析 | 第39-42页 |
| 4.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 5. 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 作者简介 | 第47-49页 |
| 学位论文数据集 | 第49页 |
