| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 介观物理简述 | 第10-11页 |
| 1.2 低维半导体材料概述 | 第11-14页 |
| 1.2.1 准二维半导体结构--量子阱 | 第11-13页 |
| 1.2.2 准一维体系--量子线 | 第13-14页 |
| 1.3 准零维结构的量子点 | 第14-16页 |
| 1.4 量子点中的物理效应 | 第16-19页 |
| 1.4.1 量子隧穿效应 | 第17页 |
| 1.4.2 库仑阻塞效应 | 第17-18页 |
| 1.4.3 Fano效应 | 第18-19页 |
| 1.5 AB效应简述 | 第19-20页 |
| 1.6 量子点的应用 | 第20页 |
| 1.6.1 量子点在器件中的应用 | 第20页 |
| 1.6.2 量子点在生命科学中的应用 | 第20页 |
| 1.7 本文开展的研究工作 | 第20-22页 |
| 第2章 格林函数方法 | 第22-37页 |
| 2.1 量子力学中的三种绘景 | 第22-25页 |
| 2.1.1 Heisenberg绘景 | 第22页 |
| 2.1.2 Schrodinger绘景 | 第22-23页 |
| 2.1.3 相互作用绘景 | 第23-24页 |
| 2.1.4 S-矩阵 | 第24-25页 |
| 2.2 平衡态格林函数的定义 | 第25页 |
| 2.3 非平衡态格林函数 | 第25-34页 |
| 2.3.1 非平衡态格林函数的定义 | 第25-27页 |
| 2.3.2 Lengreth定理、Dyson方程与运动方程 | 第27-28页 |
| 2.3.3 非平衡态格林函数在介观体系电子输运中的应用 | 第28-34页 |
| 2.4 自旋电子学 | 第34-37页 |
| 2.4.1 电子自旋的注入 | 第35页 |
| 2.4.2 自旋偏压诱导的电子属性 | 第35-37页 |
| 第3章 双量子点AB-Fano干涉仪中的自旋偏压和自旋性质 | 第37-52页 |
| 3.1 研究背景 | 第37-38页 |
| 3.2 理论模型 | 第38-40页 |
| 3.3 数值结果分析及讨论 | 第40-50页 |
| 3.3.1 零偏压下电子的输运情况 | 第40-47页 |
| 3.3.2 有限偏压时电子的输运情况 | 第47-50页 |
| 3.4 本章小节 | 第50-52页 |
| 第4章 三终端三量子点环中伴随有自旋偏压和Rashba相互作用的电流属性 | 第52-62页 |
| 4.1 研究背景 | 第52页 |
| 4.2 理论模型 | 第52-55页 |
| 4.3 数值结果和讨论 | 第55-60页 |
| 4.3.1 线性区域的电流 | 第55-57页 |
| 4.3.2 Feynman路径分析 | 第57-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
