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Mg2+离子修饰ZnO基气敏元件的制备与乙醚敏感性能研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-26页
    1.1 引言第9-11页
    1.2 半导体金属氧化物气体传感器第11-20页
    1.3 表面微滴注第20-23页
    1.4 用于表面微滴注的金属离子第23页
    1.5 本工作的选题思路及主要工作内容第23-26页
2 实验部分第26-30页
    2.1 主要原料和试剂第26页
    2.2 主要实验设备第26-27页
    2.3 材料表征分析方法第27页
    2.4 乙醚敏感性能测试第27-30页
3 表面微滴注修饰ZnO基材料阵列的制备与乙醚敏感性能第30-45页
    3.1 引言第30页
    3.2 实验部分第30-33页
    3.3 关于Mg~(2+)表面修饰ZnO膜层的表征与分析第33-35页
    3.4 表面微滴注ZnO基纳米材料阵列的气敏性能测试第35-38页
    3.5 表面微滴注ZnO基纳米材料阵列的气敏机理第38-44页
    3.6 本章小结第44-45页
4 反应掺杂方法制备Mg-ZnO及其乙醚气敏性能第45-56页
    4.1 引言第45-46页
    4.2 实验部分第46-47页
    4.3 Mg~(2+)体掺杂ZnO的表征第47-51页
    4.4 Mg~(2+)体掺杂ZnO的气体敏感性能第51-54页
    4.5 表面微滴注与体掺杂制备的Mg-ZnO的气敏机理比较第54-55页
    4.6 本章小结第55-56页
5 全文总结与展望第56-59页
    5.1 主要成果第56-57页
    5.2 本文的创新之处第57-58页
    5.3 工作展望第58-59页
致谢第59-60页
参考文献第60-66页
附录 攻读硕士学位期间发表的论文第66页

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