中频磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| ·氮化硅薄膜的成分结构 | 第10-12页 |
| ·氮化硅薄膜的性能及应用 | 第12-15页 |
| ·光学性能及其应用 | 第12页 |
| ·电学性能及其应用 | 第12-13页 |
| ·化学稳定性和钝化性能及其应用 | 第13页 |
| ·热稳定能和高温抗氧化性及其应用 | 第13-14页 |
| ·力学性能及其应用 | 第14-15页 |
| ·氮化硅薄膜的制备方法 | 第15-23页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第15-17页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第17-20页 |
| ·物理气相沉积(PVD) | 第20-23页 |
| ·本文主要研究内容 | 第23-24页 |
| 2 氮化硅薄膜的制备与表征 | 第24-36页 |
| ·中频孪生靶非平衡磁控溅射法制备氮化硅薄膜 | 第24-29页 |
| ·中频磁控溅射原理 | 第24-27页 |
| ·实验设备 | 第27-28页 |
| ·氮化硅薄膜的制备工艺 | 第28-29页 |
| ·氮化硅薄膜的表征 | 第29-36页 |
| ·成分结构分析 | 第29-32页 |
| ·表面形貌分析 | 第32页 |
| ·光学性能分析 | 第32-33页 |
| ·力学性能分析 | 第33-35页 |
| ·抗腐蚀性能分析 | 第35-36页 |
| 3 氮化硅薄膜结构性能分析 | 第36-44页 |
| ·氮化硅薄膜的生长结构分析 | 第36-42页 |
| ·沉积速率 | 第36-37页 |
| ·表面形貌 | 第37-39页 |
| ·傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第39-40页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第40-42页 |
| ·氮化硅薄膜的折射率 | 第42页 |
| ·氮化硅薄膜的硬度 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 4 AZ31镁合金基底上制备氮化硅薄膜的研究 | 第44-51页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·结构成分分析 | 第44-46页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第44页 |
| ·电子探针(EPMA) | 第44-46页 |
| ·抗腐蚀性能分析 | 第46页 |
| ·力学性能分析 | 第46-50页 |
| ·显微硬度 | 第46-47页 |
| ·摩擦系数 | 第47-48页 |
| ·结合强度 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
