| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| ·高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术 | 第8-13页 |
| ·传统的磁控溅射技术 | 第8页 |
| ·实现高金属离化率的几种方法 | 第8-9页 |
| ·高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术 | 第9-12页 |
| ·高功率脉冲非平衡磁控溅射(HPPUMS)技术 | 第12-13页 |
| ·CrNx薄膜 | 第13-16页 |
| ·CrNx薄膜的性质及应用 | 第13页 |
| ·CrNx薄膜的制备方法和结构 | 第13-14页 |
| ·CrNx薄膜的研究进展 | 第14-16页 |
| 2 薄膜的制备装置和检测方法 | 第16-23页 |
| ·薄膜的制备装置 | 第16-18页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第18-23页 |
| ·台阶仪 | 第18-19页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第19-20页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第20-22页 |
| ·膜/基结合力的测试 | 第22-23页 |
| 3 高功率脉冲非平衡磁控溅射技术制备CrN_x薄膜及其性能研究 | 第23-31页 |
| ·实验方法 | 第23-24页 |
| ·结果与讨论 | 第24-28页 |
| ·CrN_x薄膜表面形貌 | 第24-26页 |
| ·CrN_x薄膜组织结构分析 | 第26页 |
| ·CrN_x薄膜硬度 | 第26-27页 |
| ·CrN_x薄膜摩擦系数和结合强度 | 第27-28页 |
| ·HPPUMS放电的脉冲电压V_d和脉冲电流I_d诊断 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 4 高功率脉冲非平衡磁控溅射技术制备Cu膜及其沉积特性研究 | 第31-40页 |
| ·实验方法 | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-37页 |
| ·工作气压对沉积速率的影响 | 第32-34页 |
| ·基片负偏压对沉积速率的影响 | 第34-35页 |
| ·Cu薄膜的微观结构 | 第35-36页 |
| ·Cu薄膜的形貌测试 | 第36-37页 |
| ·不同气压条件下HPPUMS放电频率随线圈电流的变化关系 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-46页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
