| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-16页 |
| 1.1.1 聚变能的战略意义 | 第11-12页 |
| 1.1.2 受控核聚变简介 | 第12-15页 |
| 1.1.3 聚变堆结构材料面临的严峻考验 | 第15-16页 |
| 1.2 材料辐照效应 | 第16-19页 |
| 1.2.1 运动粒子的慢化 | 第16-17页 |
| 1.2.2 辐照损伤基本原理 | 第17-19页 |
| 1.2.3 气体产生损伤的物理原理 | 第19页 |
| 1.3 材料中的氦行为 | 第19-23页 |
| 1.3.1 材料中氦原子的捕陷和聚集 | 第19-20页 |
| 1.3.2 氦原子在材料中的迁移 | 第20-21页 |
| 1.3.3 氦泡的形成和长大 | 第21-22页 |
| 1.3.4 氦的引入方法 | 第22-23页 |
| 1.4 MAX相材料Ti_3SiC_2的介绍 | 第23-27页 |
| 1.4.1 聚变堆结构材料 | 第23-24页 |
| 1.4.2 Ti_3SiC_2 MAX相材料 | 第24-25页 |
| 1.4.3 MAX相材料Ti_3SiC_2的研究现状 | 第25-27页 |
| 1.5 本文研究内容与创新点 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-32页 |
| 第二章 材料分析方法及原理 | 第32-50页 |
| 2.1 离子束分析方法(IBA) | 第32-37页 |
| 2.1.1 卢瑟福背散射分析(RBS) | 第33-37页 |
| 2.2 X射线衍射(XRD) | 第37-41页 |
| 2.2.1 XRD基本原理 | 第37-38页 |
| 2.2.2 同步辐射XRD | 第38-41页 |
| 2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第41-42页 |
| 2.4 透射电子显微镜(TEM) | 第42-43页 |
| 2.5 拉曼光谱分析(RS) | 第43-45页 |
| 2.6 X射线光电子谱分析(XPS) | 第45-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第三章 MAX相材料Ti_3SiC_2自离子辐照损伤 | 第50-78页 |
| 3.1 Ti_3SiC_2 MAX相材料简介及辐照损伤研究现状 | 第50-52页 |
| 3.2 样品制备 | 第52-53页 |
| 3.3 C离子对Ti_3SiC_2的辐照损伤及恢复效应 | 第53-66页 |
| 3.3.1 实验参数 | 第53-54页 |
| 3.3.2 同步辐射XRD掠角分析 | 第54页 |
| 3.3.3 室温下辐照损伤的研究 | 第54-57页 |
| 3.3.4 高温辐照损伤的研究 | 第57-58页 |
| 3.3.5 Rietveld XRD谱拟合和结构精修分析晶体损伤 | 第58-60页 |
| 3.3.6 拉曼谱分析(RS) | 第60-62页 |
| 3.3.7 扫描电镜分析(SEM) | 第62-64页 |
| 3.3.8 透射电镜分析(TEM) | 第64-65页 |
| 3.3.9 C离子辐照MAX相Ti_3SiC_2综合讨论 | 第65-66页 |
| 3.4 Si离子对MAX相Ti_3SiC_2的辐照效应 | 第66-75页 |
| 3.4.1 实验参数 | 第66页 |
| 3.4.2 同步辐射掠角XRD分析 | 第66-72页 |
| 3.4.3 拉曼谱和非卢瑟福散射分析 | 第72-74页 |
| 3.4.4 SEM分析 | 第74-75页 |
| 3.5 总结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-78页 |
| 第四章 氢氦在MAX相Ti_3SiC_2中的行为研究 | 第78-103页 |
| 4.1 氢氦在材料中的行为研究现状 | 第78-81页 |
| 4.1.1 氢氦在金属材料中的行为 | 第78-80页 |
| 4.1.2 氢氦在MAX材料中的行为 | 第80-81页 |
| 4.2 氦在Ti_3SiC_2材料中扩散行为的研究 | 第81-87页 |
| 4.2.1 实验参数 | 第81-83页 |
| 4.2.2 实验原理 | 第83-84页 |
| 4.2.3 实验数据分析 | 第84-87页 |
| 4.3 氢氦对Ti_3SiC_2辐照行为的研究 | 第87-98页 |
| 4.3.1 氦离子对Ti_3SiC_2辐照行为的研究 | 第87-94页 |
| 4.3.2 氢氦协同对Ti_3SiC_2辐照行为的研究 | 第94-98页 |
| 4.4 总结 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-103页 |
| 第五章 Ti_3SiC_2 MAX相薄膜材料的制备 | 第103-122页 |
| 5.1 磁控溅射技术介绍 | 第103-106页 |
| 5.2 单晶TiC种子层的制备 | 第106-116页 |
| 5.2.1 实验参数 | 第106-107页 |
| 5.2.2 实验结果和讨论 | 第107-116页 |
| 5.3 Ti_3SiC_2单晶薄膜制备的探索 | 第116-119页 |
| 5.3.1 实验参数 | 第116页 |
| 5.3.2 实验结果分析 | 第116-119页 |
| 5.4 总结 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-122页 |
| 第六章 总结与展望 | 第122-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
| 攻读博士学位期间学术论文发表情况 | 第128-130页 |
