| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 前言 | 第10-36页 |
| 1.1 磁约束受控核聚变 | 第11-14页 |
| 1.2 边界等离子体与器壁材料相互作用 | 第14-20页 |
| 1.2.1 边界等离子体与偏滤器相互作用 | 第15-16页 |
| 1.2.2 边界等离子体与主腔体壁相互作用 | 第16-18页 |
| 1.2.3 等离子体与器壁相互作用的物理和化学过程 | 第18-20页 |
| 1.3 器壁材料的选择 | 第20-25页 |
| 1.4 氢同位素滞留研究进展 | 第25-34页 |
| 1.4.1 氢同位素在碳材料中的滞留 | 第26-29页 |
| 1.4.2 氢同位素在钨材料中的滞留 | 第29-33页 |
| 1.4.3 氢同位素在碳钨混合材料中的滞留 | 第33-34页 |
| 1.5 本论文的工作与创新点 | 第34-36页 |
| 第二章 薄膜样品的制备和表征手段 | 第36-58页 |
| 2.1 样品制备的方法 | 第36-38页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射镀膜介绍 | 第36-38页 |
| 2.2 样品制备的条件 | 第38-41页 |
| 2.2.1 含氦碳氘薄膜制备 | 第39页 |
| 2.2.2 含氦钨氘薄膜制备 | 第39-40页 |
| 2.2.3 含氦氘-碳钨薄膜制备 | 第40-41页 |
| 2.3 样品表征 | 第41-58页 |
| 2.3.1 离子束分析(IBA(RBS,ERD)) | 第41-49页 |
| 2.3.2 拉曼光谱分析 | 第49-52页 |
| 2.3.3 X射线衍射分析(XRD) | 第52-55页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第55-58页 |
| 第三章 D、He在C材料的共沉积滞留 | 第58-72页 |
| 3.1 D、He在共沉积C膜(He a-C：D)中的捕获 | 第59-65页 |
| 3.2 温度对D、He在共沉积C膜(He a-C：D)滞留的影响 | 第65-68页 |
| 3.3 含D、He的C膜(He a-C：D)的晶体结构和表面形貌 | 第68-71页 |
| 3.4 小结 | 第71-72页 |
| 第四章 D、He在W材料的共沉积滞留 | 第72-86页 |
| 4.1 D在He-WD_x薄膜中的滞留 | 第74-76页 |
| 4.2 He-WD,薄膜的表面形貌和晶体结构 | 第76-84页 |
| 4.2.1 He-WD_x薄膜的表面形貌 | 第76-80页 |
| 4.2.2 He-WD_x薄膜的晶体结构 | 第80-84页 |
| 4.3 小结 | 第84-86页 |
| 第五章 D、He在C-W材料的共沉积滞留 | 第86-102页 |
| 5.1 D在C-W共沉积层的滞留 | 第87-95页 |
| 5.1.1 D在C-W沉积层中的滞留的离子束分析 | 第88-91页 |
| 5.1.2 含D的C-W沉积层的晶体结构和表面形貌分析 | 第91-94页 |
| 5.1.3 小结 | 第94-95页 |
| 5.2 D、He在C-W共沉积层的滞留 | 第95-102页 |
| 5.2.1 D、He在C-W沉积层中的滞留的离子束分析 | 第95-98页 |
| 5.2.2 含D、He的C-W沉积层的晶体结构和表面形貌分析 | 第98-100页 |
| 5.2.3 小结 | 第100-102页 |
| 第六章 总结与展望 | 第102-107页 |
| 6.1 总结 | 第103-106页 |
| 6.1.1 D、He在C材料中的共沉积滞留 | 第103页 |
| 6.1.2 D、He在W材料中的共沉积滞留 | 第103-104页 |
| 6.1.3 D、He在C-W混合材料中的共沉积滞留 | 第104-106页 |
| 6.2 展望 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 攻博期间发表的学术论文 | 第120-121页 |
